关于电容的模型！
本帖最后由 xukun977 于 2020-4-1 13:21 编辑昨天的小文中（半导体器件与模型），继续花大量篇幅说模型的问题，以前就此话题也是强调了N多遍！
之所以强调，是因为分析电路，取决于模型的选择，正确的选择模型，能保证又快又准的分析问题。
昨天的小文中已经说了，器件的模型，理论上有无穷无尽个，当然了，也可以只有一个模型，就能分析99%的问题，但是这个模型太复杂了，对于设计师来说，毫无用处！
以运放为例，下图这个模型，几乎可以分析所有的运放电路问题：
但是这个模型，对于电路设计师来说，是毫无用处的，也是没有必要的。
以电容的模型为例：
如果上图中金属箔的面积是A，介质层厚度是d，介电常数是e，那么电容的一阶模型是：
也就是说，电容的模型就是一个理想电容。
如果这个电容用于较长时间的储能，那么上面这个模型是不够的，即便电容是开路的，电容极板上的电荷也随时间衰减，所以此时必须再加个电阻：
如果实际电容是先充电，然后短路放电，那么这个放电电流具有阻尼振荡的特征，这个行为与放电电流相关的磁场储能有关，那么此时电容的模型要加串联电感和电阻：
而对于工作于直流条件下的有极性电容，实际模型会更复杂，至少需要借助于二极管建模。
总而言之，模型是不固定的，不唯一的，随着器件的应用场合改变而改变。
页:
[1]