SH367309芯片介绍（2）
一、芯片介绍SH367309是锂电池BMS用数字前端芯片，适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。SH367309工作在保护模式下，可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。
SH367309内置VADC，用于采集电芯电压、温度以及电流；
SH367309内置CADC采集电流，用于统计Pack剩余容量；
SH367309内置EEPROM，用于保存保护阈值及延时等可调参数；
SH367309内置TWI通讯接口，用于操作相关寄存器及EEPROM。
二、SH367309的四种工作模式
（1）保护模式
正常工作状态：开启内置保护功能模块，开启平衡功能，关闭看门狗和TWI通讯模块。
Powerdown 状态：任意节电芯电压低于Powerdown允许电压V PD且持续时间超过Powerdown允许延时T PD，进入Powerdown状态，关闭充放电MOSFET。 连接充电器退出Powerdown状态。
（2）采集模式
正常状态：SH367309开启内置保护功能模块，开启TWI通讯模块，MCU可通过TWI通讯模块操作SH367309内部寄存器。
IDLE状态：关闭VADC、CADC、TWI模块，同时关闭电压和温度相关的保护功能、清零BALANCEH和BALANCEL寄存器、开启STA检测和充放电电流检测模块
SLEEP 状态：(1) 关闭充放电MOSFET，关闭VADC、CADC、TWI和WDT模块，同时关闭所有保护功能、(2) 清零BALANCEH和BALANCEL寄存器、(3) 开启STA检测、(4) 开启充电器检测
（3）仓运模式
关闭充放电MOSFET，同时关闭所有功能模块
连接充电器无任何动作
当SH367309处于仓运模式，只有SHIP管脚外接高电平V H-SHIP ，才可退出仓运模式，产生硬件复位。
（4）烧写模式
VPRO管脚外接EEPROM烧写电压V PRO ，且延时10mS，SH367309进入烧写模式，关闭充放电MOSFET及内置保护功能模块。此时其他设备可通过TWI接口读/写内置EEPROM，且内置EEPROM仅在烧写模式下方可进行写操作。
SH367309_VPRO_Lo; //关闭AFE的EEPROM写入功能
SH367309_SHIP_Lo;//AFE处于休眠模式
三、管脚功能
（1）CTL 管脚：通过SH367309的CTL管脚可控制充放电MOSFET，通过RAM寄存器SCONF2的CTLC可设置CTL管脚功能。
（2）MODE管脚：SH367309 采集模式和保护模式选择端
（3）ALARM 管脚：SH367309处于采集模式下，ALARM管脚为对外通讯管脚；处于保护模式下，ALARM管脚为高阻态。采集模式下，ALARM管脚正常输出逻辑高电平。出现下表中的系统状态，ALARM管脚输出一个低电平脉冲。
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原文链接：https://blog.csdn.net/m0_61973119/article/details/136393286
SH367309芯片是一款专为5-16串锂电池BMS前端应用设计的数字控制芯片，适用于总电压不超过70V的锂电池Pack
它通过关闭充放电MOSFET实现，支持二次过充电保护
芯片具有温度保护功能，用来监测电池温度，触发高温或低温保护
当检测充放电电流异常时自动切断MOSFET
芯片具有断线保护功能，检测电池组连接状态，防止断线导致安全隐患
6-bit Σ-Δ CADC专用于电流检测，支持统计电池剩余容量
TWI接口支持与MCU通信，带CRC8校验，确保数据传输可靠性
它支持IDLE（空闲）、SLEEP（睡眠）、Powerdown（关机）三种低功耗模式，适应不同应用场景
芯片内置平衡开关，提升电芯一致性
SH367309支持四种工作模式，通过MODE管脚配置：保护模式，采集模式，仓运模式，烧写模式
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