Burnon_FAE_4 发表于 2024-8-19 14:53

使用2000V CoolSiC™ MOSFET解锁更高功率



作为市面上第一款额定电压达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。

CoolSiC™ MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗，以及无阈值通态特性等。
英飞凌独特的CoolSiC™ MOSFET可以带来额外的优势。通过最先进的沟槽设计实现出色的栅氧化层可靠性，一流的开关和导通损耗，最高跨导电平（增益），Vth=4V的阈值电压，以及短路稳定性。这是您尽可信赖的革命性器件。
所有这一切带来的是强大的碳化硅MOSFET技术，非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来最高效率，从而可以减小系统尺寸、增大功率密度，并确保高可靠性，延长使用寿命。




yangxiaor520 发表于 2024-8-21 08:12

2000V电压有点厉害了

Amazingxixixi 发表于 2024-10-30 16:24

这个速度和器件有关系

地瓜patch 发表于 2024-10-30 18:29

可以用于航天

中国龙芯CDX 发表于 2024-10-30 18:53

最高多少开关频率？

小夏天的大西瓜 发表于 2024-10-30 20:15

MOSFET解锁更高功率

小小蚂蚁举千斤 发表于 2024-10-30 22:35

开关频率是多少？

顽强de板子 发表于 2024-11-21 16:26

随着电力电子应用对更高功率和更高效率的需求不断增长，CoolSiC™ MOSFET技术为解锁更高功率提供了可行的解决方案。然而，采用新技术的同时也需要考虑其他因素，如成本、供应链可靠性以及与其他技术的兼容性等。因此，在决定使用CoolSiC™ MOSFET之前，需要进行全面的评估和测试，以确保其满足特定的应用需求
页: [1]
查看完整版本: 使用2000V CoolSiC™ MOSFET解锁更高功率