limerenceforu 发表于 2024-12-20 09:19

KF8F2020的存储器2K，这个2K是代码存储区域还是用户数据区？

KF8F2020的存储器2K，这个2K是代码存储区域还是用户数据区？而且这个写入之前需要解锁吗？

钟爱柳州 发表于 2024-12-20 11:40

2K是FLASH，就是代码存储区，KF8F2020这颗MCU的FLASH不支持自擦写，如需存储数据，需要选择带EEPROM的MCU

Annie556 发表于 2025-3-17 14:12

KF8F2020的2K存储器通常指的是代码存储区域而不是用户数据区（DATA EEPROM）。

Betty1299 发表于 2025-3-17 18:21

代码存储区域：用于存储程序代码。容量为2K字节（2048字节）。支持多次擦写，但擦写次数有限（通常为10,000次左右）。

Estelle1999 发表于 2025-3-17 23:41

KF8F2020的代码存储区域和用户数据区在写入或擦除操作之前，通常需要解锁。具体说明如下：代码存储区域的解锁机制：在写入或擦除Flash之前，需要向特定的寄存器写入解锁序列（Unlock Sequence）。解锁序列通常包括向特定地址写入特定的数据。解锁后，可以进行写入或擦除操作。写入或擦除完成后，Flash会自动重新锁定，以防止误操作

Alina艾 发表于 2025-3-18 08:45

用户数据区解锁机制：类似于Flash，DATA EEPROM在写入或擦除之前也需要解锁。解锁方式通常是通过向特定寄存器写入解锁序列。写入或擦除完成后，DATA EEPROM会自动重新锁定。

Amonologue独白 发表于 2025-3-18 11:56

解锁序列是保护存储器的重要机制，防止误操作导致数据丢失。具体解锁序列需参考KF8F2020的技术手册

耶Saktama 发表于 2025-3-18 16:33

Flash和DATA EEPROM的写入次数有限，需合理规划写入操作

StarStory 发表于 2025-3-19 10:04

在写入或擦除操作期间，确保电源稳定，避免操作失败或数据损坏。

ranmuy 发表于 2025-3-19 14:25

2K存储器：通常指代码存储区域。写入操作：在写入或擦除Flash或DATA EEPROM之前，需要解锁。解锁机制：通过向特定寄存器写入解锁序列实现。

vevive 发表于 2025-3-19 18:49

如果需要更详细的操作步骤或解锁序列，建议参考KF8F2020的技术手册
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