Flash 应用的优化设计建议
(1) 程序区和数据区分离避免频繁擦写程序区，可将 Flash 的特定区域划分为数据区用于频繁数据更新。
使用专门的 Flash 分区策略，提高存储寿命。
(2) 动态数据管理
对于需要频繁更新的数据（如计数值或运行日志），采用轮询存储或数据冗余机制减少对单一区域的擦写次数。
(3) 使用 Bootloader 实现安全更新
在 Flash 中保留一个独立的 Bootloader 区域，用于设备启动和程序更新。
在更新前对新程序进行校验，确保固件的完整性和可靠性。
(4) 数据加密与校验
在 Flash 中存储敏感数据时，可以对其进行加密，提升安全性。
在程序或数据更新时，通过校验和/哈希值验证数据完整性，防止写入错误。
将程序按照功能划分为不同的模块，如通信模块、控制模块、数据处理模块等，每个模块的代码存放在 Flash 的特定区域。这样做有助于提高代码的可读性和可维护性。 避免在堆上分配大块内存，以防止堆栈溢出。尽量使用局部变量，并在函数之间传递指针而不是复制整个数据。 全局变量占用固定的内存空间，且容易引起代码复杂性。尽量将全局变量改为局部变量或使用静态局部变量。 设计一个清晰、简洁、高效且组件复用性强的代码架构，如采用精简高效的算法和代码量小的中间件。 选择时间复杂度和空间复杂度都较低的算法。 在Flash中保留一个独立的Bootloader区域，用于设备启动和程序更新 将Flash的特定区域划分为数据区，用于频繁数据更新，以避免对程序区的频繁擦写 对于频繁调用的小函数，可以使用内联函数来减少函数调用的开销，但要注意这可能会增加代码大小。 由于初始化为非0的全局和静态变量会占用flash空间，可以考虑要不要对其初始化，这主要看初始化代码中会不会用到这些变量的值。 将Flash存储器划分为两个相同大小的区域，分别存储相同的程序内容，当一个区域出现问题时，可以切换到另一个区域。 由于 Flash 有擦写寿命限制，要采用均衡擦写的策略。可以将 Flash 划分为多个擦写单元，轮流使用这些单元进行数据存储和更新。例如，在一个数据记录系统中，将 Flash 分为多个扇区，每次记录数据时，选择使用擦写次数较少的扇区，避免某个扇区过度擦写而损坏。 在需要进行多次 Flash 读写操作时，合理安排读写顺序。一般来说，先进行批量的读操作，然后再进行写操作，这样可以减少 Flash 的状态转换次数。因为 Flash 在读写状态之间转换需要一定的时间和开销。 如果单片机的Flash支持分页，合理规划代码和数据在Flash中的分布，以减少页面切换。 根据应用需求，优化数据存储格式。例如，对于需要频繁读取的数据，可以采用紧凑的数据结构来减少读取时间；对于不需要精确存储的数据，可以采用近似值或压缩算法来减小存储体积。 在Flash中存储代码的校验和，用于启动时验证代码的完整性。 MCU内部FLASH要用来频繁读写数据的话，最好是做分区管理。 不需要的源代码不要编译到最终执行文件中，可不要包含源代码的头文件，是否需要编译它主要看业务中会不会调用源代码向外暴露的接口。 对于程序中使用的常量（如配置参数、表格数据等），应尽量存储在 Flash 中。因为 Flash 在掉电后数据不会丢失，而且读取 Flash 中的常量比从其他存储介质（如外部 EEPROM）读取更加高效。 对于需要频繁擦写的Flash存储器，可以采用磨损均衡技术来延长其使用寿命。通过定期更换擦写区域，使得每个区域的擦写次数相对均衡，从而避免某个区域因过度擦写而损坏。