资料下载 | 英飞凌AI PSU供电解决方案
本帖最后由 IFX新闻官 于 2025-1-27 11:06 编辑[*]涵盖3kW至12kW及以上的新一代SiC、GaN和Si解决方案
[*]利用高效的电源解决方案推动AI服务器机架低碳化发展
[*]3kW至12kW的电源解决方案
随着AI服务器和数据中心对电力需求的不断增加，电源设计正在经历快速迭代：功率从800W迅速提升至5.5kW，并逐步向12kW及更高水平迈进。此外，系统效率的要求已提升至97.5%以上，功率密度也显著提高（例如，100W/in³），以满足日益紧凑的尺寸限制，同时确保符合严格的保持时间要求。
英飞凌结合自身在应用和系统设计方面的专业知识，采纳数据中心运营商和电源制造商的意见，开发了一系列覆盖3kW到12kW范围的参考板。这些解决方案展示了英飞凌如何通过其功率半导体技术，满足并超越行业对PSU性能要求的能力。
作为拥有高性能碳化硅MOSFET（CoolSiC™）、氮化镓晶体管（CoolGaN™）和硅基MOSFET（CoolMOS™）的功率半导体领域的领导者，英飞凌推出的这些PSU充分发挥不同技术优势，最大限度地提高从交流到直流的电源性能，突破效率和功率密度的限制，为AI服务器和数据中心系统提供高度可靠且可持续的价值。
3kW 解决方案服务器和数据中心专用3kW 50V PSU （EVAL_3KW_50V_PSU）
系统特点
[*]完全兼容Open Compute V3整流器
[*]97.5%峰值效率
[*]无桥图腾柱PFC：采用CoolSiC™技术
[*]半桥式LLC：采用CoolMOS™和OptiMOS™技术
[*]全数字控制：通过XMC™微控制器实现
客户收益
[*]符合Open Compute V3整流器（PSU）的外形尺寸要求（整体尺寸）
[*]满载时提供20毫秒的保持时间
[*]通过EMC B类预认证测试
[*]可作为评估板使用
产品技术亮点
[*]CoolSiC™ MOSFET 650V
[*]600V CoolMOS™ SJ MOSFET C7
[*]600V CoolMOS™ SJ MOSFET CFD7
[*]OptiMOS™ 5 Power MOSFET 80V
[*]EiceDRIVER™单通道和双通道驱动器
[*]CoolSET™反激式控制器：集成800V CoolMOS™
[*]XMC™工业微控制器
[*]ISOFACE™数字隔离器
[*]降压DC-DC稳压器
[*]中功率肖特基二极管
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3.3kW 解决方案3.3kW高频和高功率密度（HF/HD）整流器 （REF_3K3W_HFHD_PSU）
系统设计方法
[*]240VAC下的业内标杆：效率达到97.4%，功率密度达到98W/in³
[*]结合了CoolSiC™、CoolGaN™、CoolMOS™、OptiMOS™等多种技术，旨在实现最高的效率和功率密度
[*]新型集成式平面磁性结构
[*]全数字化控制（PFC 和 DC-DC）
[*]图腾柱PFC + 半桥GaN LLC
客户收益
[*]完整的PSU包括PFC + DC-DC
[*]保持时间延长电路
[*]可作为参考板使用
产品技术亮点
[*]650V CoolSiC™ MOSFET
[*]CoolGaN™晶体管650V G5
[*]CoolMOS™ 600V CM8
[*]CoolSiC™肖特基二极管 650V G5
[*]EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
[*]OptiMOS™ 5 MOSFET 80V
[*]CoolSET™反激式控制器：集成800V CoolMOS™
[*]ISOFACE™数字隔离器
[*]XMC™工业微控制器
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8kW 解决方案用于AI服务器SMPS的8kW PSU（REF_8KW_HFHD_PSU）
系统设计方法
[*]全数字化控制架构：采用交错无桥图腾柱PFC和全桥GaN LLC
[*]效率标杆：高达97.5%（通过优化设计，减少散热需求，从而减少对空调制冷的依赖）
[*]功率密度：高达100 W/in³（比ORv3规格高出两倍）
[*]得益于GaN晶体管，高压LLC中的频率最高
客户收益
[*]完整的电源解决方案（PSU）：包括单相PFC + DCDC
[*]混合开关设计（Si、SiC 和 GaN）：实现出色的系统性能
[*]最高效率和功率密度
[*]符合ORv3服务器外形规范
[*]减少电容器的使用数量和体积，提升可靠性，缩小系统尺寸
[*]可作为参考板使用
产品技术亮点
[*]CoolSiC™ MOSFET 650V
[*]CoolGaN™晶体管 650V
[*]CoolMOS™ 600V CM8
[*]OptiMOS™功率MOSFET 60V / 80V
[*]EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
[*]CoolSET™反激式控制器：集成800V CoolMOS™
[*]OPTIREG™开关
[*]ISOFACE™数字隔离器
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12kW 解决方案12kW高功率密度PSU技术演示器
系统设计方法
[*]效率标杆：100W/in³时高达 97.5%，包括所有/1U外形尺寸
[*]结合CoolSiC™、CoolGaN™、CoolMOS™、OptiMOS™ • 技术，旨在实现最高效率和功率密度
[*]模块化设计：2个6kW模块
[*]多级拓扑结构
[*]全新整体控制方案
[*]全数字化控制
客户收益
[*]完整的电源解决方案（PSU）：包括PFC + DC-DC
[*]高效率、高功率密度
[*]模块化设计：优异的轻载效率，易于制造
产品技术亮点
[*]400V CoolSiC™ MOSFET
[*]100V CoolGaN™晶体
[*]管
[*]600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET
[*]G5 650V CoolSiC™肖特基二极管
[*]EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
[*]集成 800V CoolMOS™的CoolSET™ 反激式控制器
[*]ISOFACE™数字隔离器
[*]PSoC™和 XMC™微控制器
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