ranmuy 发表于 2025-2-15 10:00

CH32V003的flash作为用户数据使用时也是按页擦除吗？

CH32V003的flash作为用户数据使用时也是按页擦除吗？

LIzs6 发表于 2025-2-16 14:23

如下图，CH32V003 FLASH擦除支持64字节擦除、1K字节擦除以及整片擦除，具体看你选择哪种编程擦除方式。其中用户选择字区域擦除是直接擦除整个用户选择字区域（64字节）

alxd 发表于 2025-3-18 14:03

是的，CH32V003 的 Flash 存储器 在作为用户数据存储时，擦除操作是按页进行的。

B1lanche 发表于 2025-3-18 18:30

这是大多数 Flash 存储器的典型特性，CH32V003 的 Flash 存储器通常被划分为多个 页（Page），每页的大小需要参考芯片的数据手册（例如 1KB 或 2KB）。

Amonologue独白 发表于 2025-3-18 22:21

一般来说,CH32V003的每页有固定的起始地址和结束地址，擦除操作需要指定页的起始地址

耶Saktama 发表于 2025-3-19 09:08

Flash 存储器的擦除操作是以页为单位进行的，每次擦除会清除一整页的数据

Emily999 发表于 2025-3-19 12:15

其实Flash存储器的编程操作可以是以字（Word）为单位进行的，每次写入一个或多个字。

BetrayalNO 发表于 2025-3-19 15:10

需要注意的是Flash存储器的擦写次数有限（通常为 10,000 次左右），频繁擦写可能导致 Flash 损坏。

Charlotte夏 发表于 2025-3-19 20:27

在擦除或编程操作期间，避免意外断电或复位，否则可能导致数据损坏。

Euphoriaxixi 发表于 2025-3-20 08:33

一般的话，擦除操作需要以页为单位进行，因此用户数据存储时需要合理规划地址，避免频繁擦除。

Espoironenext 发表于 2025-3-20 11:52

建议使用日志式存储或 wear-leveling 算法，减少对同一页的频繁擦除。

Candic12e 发表于 2025-3-20 17:04

一定要在 Flash 中备份重要数据，防止数据丢失。根据页大小合理规划数据存储地址，避免频繁擦除
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