I/O口驱动,为什么一般都选用三极管而不是MOS管?
2.单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管？图11.单片机的IO口，有一定的带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。
①三极管是电流控制型，三极管基极驱动电压只要高于Ube（一般是0.7V）就能导通。
我们再来看实际应用：
①直接驱动三极管
https://api.fanyedu.com/uploads/image/bc/d3594cef58d410165c89ea21831fb4.png②驱动MOS管在半导通状态下，管子的内阻很大，驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了，内阻大，管子的功耗大，MOS管很容易就烧坏了。
https://api.fanyedu.com/uploads/image/1f/edc322af4cd90b2fae31c6db39c851.png当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管吗？
那可以用I/O口直接驱动MOS管吗？答案是可以的，但这种型号不好找，这里给大家推荐一个NMOS型号：DMN6140L-13（因为用的少，目前就知道这个型号，如果大家有知道的，可以在评论区告诉我，感谢）。
图4DMN6140L-13阈值电压
https://api.fanyedu.com/uploads/image/cb/b0e2d1547a80024cc83a8309094d20.png我们再来看看，常用的NPN三极管LMBT2222ALT1G的带载能力，最大电流IC=600mA。
图6LMBT2222ALT1G导通电流
可见MOS管的驱动能力是三极管4倍，所以对负载电流有要求的都使用MOS管。
直接驱动MOS管不方便的话，加中间处理，比如光耦可以不？还能实现隔离。 先问是不是，然后再问为什么 ，，， 是啊，好奇怪，这是为什么呢？ 在I/O口驱动电路中，选择三极管（BJT）而不是MOS管（MOSFET）的原因通常与成本、设计复杂度、驱动需求以及应用场景有关。 大负载必然用fet 三极管的驱动能力相对较强。其基极驱动电压只要高于ube（一般是0.7V）就能实现导通，这使得三极管在驱动较低电压的负载时具有优势。 三极管的基极电流与集电极电流之间存在一定的比例关系（β 值），通过控制基极电流可以控制集电极电流，从而实现对负载的驱动。在一些对驱动电流要求不是特别大，且需要一定电流放大作用的场合，三极管能够很好地满足需求。例如，在驱动小型继电器、小功率蜂鸣器等负载时，三极管可以提供足够的驱动能力，并且其电流放大特性可以方便地实现信号的放大和控制。 三极管的控制相对简单，其基极电流控制集电极和发射极之间的导通，在设计简单的开关电路或放大电路时，电路结构较为简单，容易理解和设计。 在一些不需要很大驱动电流的场合，三极管的电流放大能力可以满足要求 三极管为电流控制型，而MOS管是电压控制型。 三极管是电流控制型器件，基极只需较小的电流就能控制较大的集电极电流，驱动能力较强。 三极管是一种电流放大元件，可以将小电流放大为较大的电流。例如，在NPN型三极管中，如果基极电流为Ib，则集电极电流Ic最大可达到Ib的约200倍。 我理解就是IO的驱动能力并不大，所以驱动三极管还行，MOS就不行了 MOS的话一般是需要电流大点的，而且也需要高一些电压才行 MOS管的驱动电压必须高于其阈值电压Vgs(TH)才能正常导通，不同MOS管的阈值电压不同，但通常较高，如3-5V左右，饱和驱动电压可能更高。在一些负载电流较大的场景中，MOS管的驱动能力可能会受到影响。 MOS之前大多数都是高电压的，MCU的IO电压不够啊 三极管（如BJT）通常比MOS管便宜，尤其是在低功率应用中，三极管的成本优势更为明显。 三极管的驱动电路相对简单，通常只需要一个基极电阻即可。而MOS管需要较高的栅极电压来完全导通，可能需要额外的驱动电路。 在某些应用中，三极管的开关速度可能比MOS管更快，尤其是在低电压和低电流的情况下