自举电容和mos管发热
自举二极管D必须使用与功率开关管相同耐压等级的快恢复二极管；自举电容设计也至关重要，C1的耐压比功率器件充分导通时所需的驱动电压(典型值为10 V)高。若在C1的充电路径上有1.5 V的压降，且假定有一半的栅压因泄露而降低，则自举电容C1可按式(4)来选取：https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/669af7f9d5d55ba55719d0250e82a433.png 式中：Qg为MOSFET的门极电荷。 工程应用上一般取C1>2*Qg/(VCC-10-1.5)，且应选取容量稳定，耐脉冲电流的无感电容。 mos管发热可能的问题 1、电源振铃引起发热 之前设计的有刷直流电机驱动电路，采用的是IR2104半桥驱动器去驱动H桥功率电路，电路使用的都是经典的芯片厂商提供的设计方案，可是出现了一个糟糕的问题，电路就算不带载，功率管也发烫的厉害，要是带载则夸张的发热，能达到100℃以上，太恐怖了。为了这个问题，排查了整整一天多时间，百思不得其解，最后通过各个点的波形测试，发现问题出在电源受到功率管开关的影响，产生了极大的波动，导致电源产生振铃现象，峰值电压超过电源电压的3倍。从而导致了功率管DS,GS间的电压时常超过耐压值，和影响了IR2104S的驱动波形，导致上下臂直通现象的出现。解决方法：在功率电路H桥电源处加一个合适的滤波电容，一般10uF以上，去除电源干扰问题，从而彻底解决驱动电路问题。注意选择的不同的MOS管，需要的滤波电容容值也会相应的改变，必须做出调整。 2、死区时间异常引起发热IR2104死区时间异常，引起mos管空载发热
图片看不到，还望楼主再上传一下。 必须是快恢复二极管或者肖特基二极管，且耐压要满足 V<sub>DS</sub> 或更高。
额定电压应 ≥ MOSFET 的耐压等级，以防 HO 悬浮驱动阶段的尖峰损坏
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