G32R501 COMP 模块技术介绍文档
本帖最后由 a976209770 于 2025-7-3 15:45 编辑G32R501 COMP 模块技术介绍文档
一、模块概述G32R501 系列 MCU 内部集成了多组 模拟比较器子系统（COMP），主要用于模拟信号电平比较、跳闸保护、峰值电流控制、过压/欠压检测等。每个 COMP 子系统包括如下组件：
[*]2 个高/低电平比较器（High/Low Comparator）
[*]1 个递减型斜坡发生器（仅高比较器支持）
[*]2 个数字滤波器
[*]2 个 12 位参考 DAC
二、COMP 模块核心结构
1. 基准 DAC（DACH / DACL）
[*]每个比较器都配有一个不可外部访问的 12 位 DAC。
[*]DAC 可配置使用 VDDA 或 VDAC 作为参考电压源。
[*]DAC 值通过影子寄存器 DACVALS 设置，并在条件满足时装载至 DACVALA，支持：
[*]软件立即装载
[*]与 PWMSYNC 同步装载（用于精确控制）
2. 斜坡发生器（Ramp Generator）
[*]仅高比较器（COMPxH）支持 递减型斜坡发生器。
[*]应用于电流模式控制中的斜坡补偿。
[*]主要寄存器与功能：
[*]RAMPMAXREF：最大电压起始值
[*]RAMPDECVAL：递减步长
[*]RAMPDLY：递减延迟
[*]可通过 PWMSYNC 启动斜坡下降。
[*]注意事项：极端设置下可能出现 DAC 扰动或比较器阻塞情况，建议遵循手册限制。
3. 数字滤波器
[*]通过滑动窗口方式进行 多数判决，有效去除输入信号噪声。
[*]可配置参数：
[*]SAMPWIN：采样窗口长度（N+1 bits）
[*]THRESH：判决阈值（多数门限）
[*]CLKPRESCALE：输入采样速率分频因子
[*]示例：
[*]SAMPWIN = 8，THRESH = 4，表示在 9 个采样中 ≥5 个为高，则输出拉高。
三、电气特性与性能亮点
参数最小典型最大单位说明
输入电压范围0VDDAV差分输入范围
输入偏移电压误差-200+20mV低共模输入下的偏移误差
阶跃响应时间2160ns输入突变至 X-BAR 输出延迟
斜坡响应时间2650ns在不同斜率下测试
电源抑制比 PSRR46dB对供电噪声的抑制能力
共模抑制比 CMRR40dB对共模干扰的抑制能力
模块亮点：
[*]支持 迟滞配置
[*]支持 滤波器抗干扰
[*]与 PWM X-BAR 互联，用于跳闸保护响应
[*]支持 边沿触发中断
[*]低延迟响应，适合实时控制
四、使用注意事项
[*]输入限制：
[*]正输入端只能接外部引脚，负端可选外部引脚或内部 DAC。
[*]DAC 输出不可直接访问，仅供比较器内部使用。
[*]跳闸影响：
[*]在触发跳闸后，DAC 输出可能会出现暂态误差，须注意容差。
[*]高低比较器交互干扰：
[*]若仅使用其中一组，建议另一路使用 DAC 最大电压并选择 DAC 输入，以防误触发。
[*]滤波器使用：
[*]启用数字滤波器需确保滤波参数初始化配置完整。
五、典型应用场景
应用场景COMP 功能点
峰值电流控制配合斜坡补偿防止误触发
电机过流保护与 PWM 跳闸区快速联动
欠压检测DAC 基准 + 滤波器稳定判断
外部模拟信号边沿检测输出至中断或 PWM 控制
六、总结
G32R501 的 COMP 模块具备以下核心优势：
[*]灵活模拟输入比较机制
[*]高速响应 + 滤波抑噪 + 可调迟滞
[*]与 PWM、X-BAR、EXTI 深度集成
[*]适配工业级实时保护控制系统需求
该模块在 电机控制、数字电源管理、安全监控 等领域均具备广泛应用前景。
这个文档详细介绍了G32R501 COMP模块的结构和功能，对于我们这些搞硬件的人来说非常有用。
这个技术文档很全面，详细介绍了G32R501 COMP模块的核心结构和电气特性，对于我们设计和应用很有帮助。
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