CXMD32131逆变器控制芯片:电流模式SPWM调制,支持三相级联与多机应用
一、芯片核心特性与应用领域CXMD32131 是一款专为高性能逆变器设计的控制芯片,采用电流模式中心对齐PWM调制技术,载波频率20kHz,兼容MOS管与IGBT功率器件。其独特架构支持实时输出电压/电流跟踪(每周期50μs),实现空载波形失真率<1.5%、满载<3%的高精度输出,满足工业级正弦波逆变需求。1.关键特性亮点:1.1灵活配置功能1.1.1)死区时间可选:300ns/500ns/1μs/1.5μs(通过DT0/DT1引脚设置)1.1.2)桥臂互换控制(HM引脚):优化PCB布局1.1.3)固定频率选择:50Hz/60Hz(FRQSEL引脚)1.1.4)软启动使能(SST引脚):降低开机冲击1.2多机级联与三相支持1.2.1)通过Multi_INV引脚选择主机/从机模式1.2.2)Phase_SEL引脚实现0°/120°相位跟踪1.2.3)同步信号(VZC_IN输入、AC_Fout输出)支持光耦隔离级联,构建三相四线系统(需独立隔离母线电源)1.3.全保护机制CXMD32131 内置了完善的系统保护功能,提供了输出过载保护、输出过流保护、直流母线电压过压和欠压保护、输出电压欠压保护、过温保护及短路保护等。 同时提供了两种复位方式 , 一种是硬件复位 , 由芯片的 28 脚 AC_RST 低电平有效进行复位 , 另一种由UART 串口命令复位 , 通过逆变器开启寄存器。
下列的各项保护参数值是基于 1KW 应用图而设定的,如用户有特殊要求,可以提供修改。1.3.1)电压保护:直流母线过压(>440V)/欠压(<290V)、交流输出欠压1.3.2)输出过流保护:过载(>1200W)、过流(>5.5A)、短路(响应<30ms)
CXMD32131 具有过流保护功能,过流值大于 5A 时,红灯 LED 指示灯开始闪烁,过流值大于 5.5A 并持续60 秒时,逆变器关断,并输出红灯LED常亮,同时用户通过串口可以读出相应的保护信息。
1.3.3)PCB过温保护:PCB过温(>85℃)、IGBT过温(>130℃)
CXMD32131具有PCB过温保护功能,PCB温度大于85℃时,逆变器关断,并输出红灯 LED 常亮,同时用户通过串口可以读出相应的保护信息。1.3.4)输出过载保护:
CXMD32131 具有过载保护功能,过载功率大于 1100W 时,红灯 LED 指示灯开始闪烁,过载功率大于 1200W并持续 60 秒时或大于 1300W 并持续 1 秒,逆变器关断,并输出红灯 LED 常亮,同时用户通过串口可以读出相应的保护信息。
1.3.5)直流母线电压过压、欠压保护
CXMD32131 具有母线电压过压和欠压保护功能,直流电压低于 290V 或高于 440V 时,逆变器关断,并输出红灯LED常亮,提供用户通过串口可以读出相应的保护信息。
1.3.6)功率管过温保护
CXMD32131 具有功率管过温保护功能,功率管温度大于 130℃时,逆变器关断,并输出红灯 LED 常亮,同时用户通过串口可以读出相应的保护信息。
1.3.7)短路保护
CXMD32131 具有输出短路保护功能,短路保护时间小于 30mS,当输出短路发生时,逆变器关断,并输出红灯 LED 常亮,同时用户通过串口可以读出相应的保护信息。1.3.8)MOS管峰值电流保护
CXMD32131+CXBD3501 的 SPWM 驱动板方案中,MOS 管的峰值电流保护部分,使用了CXBD3501芯片中自带的200mV 基准源的高速比较器,用户可以通过外部的采样电阻阻值大小及采样分压电阻的比例,来设定 MOS管的峰值电流保护值,电路结构图如图 9.7a所示。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/70676280d00d1f50815a66ec4f7ad06d.png
当设定四路 MOS 管的峰值电流保护值时,下列的计算公式供参考设计:
MOS 管 S1 的峰值电流保护值为: Is1_peak=200mV*(1+R26/R25)/RS1
比如如图 9.7a所示的参数, R26=10K , R25=10K , RS1=10mΩ时,
Is1_peak=200mV*(1+10K/10K)/10mΩ=40A
MOS 管 S2 的峰值电流保护值为: Is2_peak=200mV*(1+R36/R30)/ ( RS2+RS5 )
比如如图 9.7a所示的参数, R36=10K , R30=3.3K , RS2=10mΩ, RS5=10mΩ时,
Is2_peak=200mV*(1+10K/3.3K)/(10mΩ+10mΩ)=40A
MOS 管 S3 的峰值电流保护值为: Is3_peak=200mV*(1+R33/R29)/RS3
比如如图 9.7a所示的参数, R33=10K , R29=10K , RS3=10mΩ时,http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/70676280d00d1f50815a66ec4f7ad06d.png
Is3_peak=200mV*(1+10K/10K)/10mΩ=40A
MOS 管 S4 的峰值电流保护值为: Is4_peak=200mV*(1+R24/R23)/ ( RS4+RS5 )
比如如图 9.7a所示的参数, R36=10K , R30=3.3K , RS2=10mΩ, RS5=10mΩ时,
Is4_peak=200mV*(1+10K/3.3K)/(10mΩ+10mΩ)=40A2.应用领域覆盖:2.1)单相/三相纯正弦波逆变器2.2)光伏/风力发电逆变系统2.3)锂电发电机、储能电源、UPS不间断电源二、硬件设计关键要点1.反馈电路设计1.1)电压反馈(VAC_FB):1.1.1)差分运放采样输出电压,内部基准为1.65V DC偏移+1.36V幅值正弦波。设计需严格匹配电阻对称性:1.1.2)R48+R46 = R49+R47, \quad (R32//R33) = (R36//R34)1.1.3)230V输出方案:运放增益≈1/240(例:峰值325V→VAC_FB=3.03V)1.1.4)120V输出方案:增益≈1/118(例:峰值170V→VAC_FB=3.12V)
CXMD32131 是通过外部运放组成的差分放大器,实时采样交流输出电压,输出电压的调整率为每个 PWM 周期(50uS)时间,跟传统逆变器峰值电压采样的方式相比,CXMD32131 的输出电压精度和动态响应时间大大提高,波形失真度能在3%以内。CXMD32131 内部的正弦电压基准为直流偏移量1.65V+幅值1.36V的50Hz或60Hz正弦波,通过外部差分运放的放大和直流偏移量1.65V叠加后,送入到CXMD32131的26脚VAC_FB,经误差计算后,然后调整相应的输出电压。具体应用电路图可参考图 8.2a 和图 8.2b。
应用时必须要保证差分运放外接电阻的对称性 , 即(R48+R46)=(R49+R47),(R32//R33)=(R36//R34)当设定输出电压值时,下列的计算公式供参考设计:
用于 230V输出电压的计算步骤,电路结构图如图 8.2a:
第一步、计算直流偏移量:运放输出 Vout_DC=R33/(R32 + R33) x 5V=5.1K/15.1K x 5V≈1.68V(参考图 8.2a)http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/bf3b9b6f21e0854784c3f604d8d89397.png
第二步、计算运放放大倍数: A=(R36//R34)/(R48+R46)
第三步、计算输出电压: Vout_AC=A*Vin
Vout_AC =R36 // R34 /(R48 + R46)x(VACL -VACN) ≈ 1/240 x(VACL -VACN) (参考图 8.2a)
从上述公式得出,该运放的放大倍数为1/240倍,比如当交流230V输出,峰值电压为325V,经差分运放1/240倍的放大后,输入到CXMD32131的26脚,其幅度为VAC_FB=Vout_DC+Vout_AC=1.68V+1.35V=3.03V,然后经内部电路误差计算后,再调整输出电压。用于 120V输出的计算步骤,电路结构图如图 8.2b的参数:
第一步、计算直流偏移量:运放输出 Vout_DC=R33/(R32 + R33) x 5V=5.1K/15.1K x 5V≈1.68V(参考图 8.2b)http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/89952e43a50757c090e025ffdb7d659a.png
第二步、计算运放放大倍数: A=(R36//R34)/(R48+R46)
第三步、计算输出电压: Vout_AC=A*Vin
Vout_AC=36 // R34 /(R48 + R46R)x(VACL -VACN) ≈ 1/118x(VACL -VACN) (电阻值参考图 8.2b) 从上述公式得出,该运放的放大倍数为 1/118 倍,比如当交流 120V 输出的峰值电压为 170V 时,经差分 运 放1/118倍的放大后,输入到CXMD32131的26脚,其幅度为VAC_FB=Vout_DC+Vout_AC=1.68V+1.44V=3.12V,然后经内部电路误差计算后,再调整输出电压。1.2)电流反馈(IFB1P/N, IFB2P/N):1.2.1)双路交替采样电流,内部增益9.5倍。采样电阻RS推荐0.01Ω(1.5kW应用),最大饱和电流: I_{max} = 3000mV / (9.5 \times R_s) CXMD32131 采用了交替轮流方式采样输出电流,电路结构如图 8.3a 所示,IFB1P、IFB1N 和 IFB2P、IFB2N 分别采样 RS2 和 RS4 电阻上的电流,经内部 9.5 倍增益放大后,送入内部反馈模块进行运算, PCB走线时 IFB1P 、 IFB1N 和 IFB2P 、 IFB2N 需走差分信号线,串联在 IFBxP 和 IFBxN 上的电阻值推荐为 100Ω,如下图 8.3a 中的 R97、 R98 、 R101 和 R102 ,如用户需更改该值,建议不要超过 1KΩ,否则会影响内部放大器的增益。 CXMD32131 的电流反馈值设置了最大饱和电流限制,最大饱和电流为:Imax=3000mV/9.5/Rs 如 Rs 选0.01Ω时,可得出最大电流 Imax=3000mV/9.5/0.01Ω=31.5A ,该电流值是比较适合 1.5KW 的逆变器应用,不同功率应用时,可选取不同阻值的采样电阻值,可参考上述的公式进行计算。 应用时 ,IFB1P 、 IFB1N 和 IFB2P 、 IFB2N 脚不能做悬空或接地处理,必须要严格按照 8.7 章节的接法,否则不能输出正常正弦波形。在批量生产时,考虑硬件精度的误差导致输出电压和输出电流的偏差,提供了上位机软件,供输出电压和输出电流校正,用户可以到我司的网站上或联系我们,下载相应的上位机软件。1.3)布线要求:差分走线,串联电阻≤1kΩ(典型值100Ω)。2.保护电路设计2.1)温度检测(TFB1/TFB2):2.1.1)PCB测温:10k NTC(B=3950) + 6.2kΩ分压,85℃保护(迟滞10℃)2.1.2)IGBT测温:100k NTC + 6.2kΩ分压,130℃保护(迟滞10℃)
CXMD32131 提供了两路温度反馈 TFB1 和 TFB2 用于温度检测及保护,TFB1 主要用于PCB 板级的温度保护, TFB2 主要用于功率管的温度保护,电路结构如图 8.4a所示。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/f1a2f7dc0b12d57a3603ec4117f4aa0a.png
TFB1 的检测电路由RT1和电阻 R60组成一个简单的分压电路,RT1 选用 25℃对应阻值10K(B 常数值为 3950)的 NTC 热敏电阻,下拉电阻R60 选用2KΩ,TFB1 引脚的过温电压值设定在 3.3V,对应温度保护值 85℃左右 (此时 NTC 的电阻值为 1.08K ) , 退出过温保护的迟滞值为 10℃,即低于 75℃退出过温保护。 TFB2 的检测电路由 RT2 和电阻R61组成一个简单的分压电路,TFB2 主要用功率管的温度保护,RT2 选用25℃对应阻值100K(B 常数值为 3950)的NTC热敏电阻,下拉电阻 R61 选用 6.2KΩ,TFB1 引脚的过温电压值设定在 3.3V,对应温度保护值 130℃左右 (此时 NTC 的电阻值为 3.526K ) , 退出过温的迟滞值为
10℃,即低于 120℃退出过温保护。2.2)母线电压检测(VDC_IN):过压关断2.8V(对应440V),欠压关断1.8V(对应290V),外接分压电阻实现。
为了防止过高或过低的母线电压输入到逆变器而引起的损坏,CXMD32131 芯片内置了母线电压检测电路,提供了直流母线电压过压和欠压两种关断功能,电路结构图如图 8.5a 所示,通过 CXMD32131 的 27 脚,外接分压电阻来实现母线电压的检测。
CXMD32131 芯片内部的过压关断值为 2.8V,按图 8.5a 的参数,对应的过压保护值为 440V,延时时间为500mS ,退出过压保护的迟滞值为 10V,即低于 430V退出过压保护。 欠压关断值为 1.8V,按图 8.5a 的参数,对应的欠压保护值为 290V,延时时间为 10S ,退出欠压保护
的迟滞值为 30V,即高于 320V 退出欠压保护。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/818d2b62a3c3e1f6ebf2d6785c69e71f.png
3.死区时间配置CXMD32131 芯片的引脚 DT1,DT0 是控制死区时间,死区时间控制是功率 MOS 管的重要参数之一,如果无死
区时间或太小会导致上下功率 MOS 管同时导通而烧毁 MOS 管现象, 如果死区太大会导致波形失真及功率管发热严重现象,图 8.6a 为 CXMD32131 内部死区控制时序,如图所示引脚 DT1,DT0 去设置 4 种死区时间,“00”是 300nS 死区时间,“01”是 500nS 死区时间 , “10”是 1uS 死区时间 , “11”是 1.5us 死区时间。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/4cfbc6ce14d19421fa4b64b0b1d94578.png
死区时间直接影响功率管安全与效率:
DT1DT0死区时间
00300ns
01500ns
101μs
111.5μs
4.PWM调制方式CXMD32131 采用中间对齐 PWM 调制方式,调制频率为 20KHz,该调制方式的优点是 H 桥上开关管的频率为20KHz ,输出电感和输出电容上的开关频率是 PWM 频率的二倍( 40KHz ),跟传统逆变器的单极性或双极性调制方式相比,在相同功率下, MOS 管或 IGBT 管上的开关损耗相同,作用在输出电感和电容上的频率是传统的 2 倍,这种调制方式可以降低电感的体积和线径。5.H桥的左、右桥臂互换控制
为考虑 PCB 布局时,需左、右桥臂对换下更利于走线的目的,CXMD32131 支持 H 桥的左右桥臂互换功能,该功能由 CXMD32131的引脚1脚(HM)来选择。
当 CXMD32131 的1脚输入为 “0”时,电路结构图如图8.7a所示,具体的说明如下:
CXMD32131 的输出信号 PWM2H、PWM2L 控制左桥臂的功率管 S1 和 S2,输出信号 PWM1H、PWM1L 控制右桥臂的功率管 S3 和 S4 ,如图 8.7a 所示。
此时, IFB2P 和 IFB2N 是负责左桥臂的电流采样,需接到 RS2 的电阻上, IFB1P 和 IFB1N 是负责右桥臂的电流采样,需接到 RS4 的电阻上。
电压反馈上, ACL 上的电感 L1 需接到 H 桥左桥臂的中点, ACN 上的电感 L2 需接到 H 桥右桥臂的中点,差分运放的正端经分压衰减后接到 ACL,负端经分压衰减后接到 ACN,这样保证输出电压反馈跟内部基准电压同相位。三、多机系统与三相架构实现1.单相并联方案1.1)主机配置:Multi_INV=0, Phase_SEL=01.2)从机配置:Multi_INV=1, Phase_SEL=01.3)同步信号AC_Fout(主机)→ VZC_IN(从机),实现相位同步。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/5e36f4ff7d60697b581c6b9f543fa339.png
2.三相四线系统2.1)三台逆变器级联,母线电源完全隔离(400V_A/GND_A, 400V_B/GND_B, 400V_C/GND_C)2.2)主机:Multi_INV=0, Phase_SEL=02.3)从机B:Multi_INV=1, Phase_SEL=1(120°相位)2.4)从机C:Multi_INV=1, Phase_SEL=1(240°相位)2.5)同步链路:主机AC_Fout → 从机B VZC_IN → 从机C VZC_INhttp://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/95783090a301f54b20dccf3dbe9e33d0.png
四、UART通讯协议详解串口描述 串口配置:( 9600.8.N.1 )波特率: 9600
数据位: 8 位
校验位:无
停止位: 1通讯功能:
串口通讯功能分为 APP 功能和 CFG 功能两部分。 APP 功能为正常应用功能,包含芯片主动发送状态消息,和接收外部控制命令的功能。CFG 功能为高级配置功能,主要实现芯片的工作模式配置、参数校准等功能。APP 功能通常应用在逆变系统工作时,而 CFG 功能通常应用在逆变系统停机状态下。通过 CFG 功能配置的参数,会存储在芯片内部的 FLASH 空间中,在芯片上电时自动加载。1.APP功能(运行时数据交互)APP 功能为正常应用功能,包含芯片主动发送状态消息,和接收外部控制命令的功能。 APP 功能通常应用在逆变系统工作时,持续向外发送状态消息,并实时接收外部命令,执行相应控制操作。1.1)消息格式:16字节,200ms周期发送1.2)关键数据字段:1.2.1)BYTE1-2:输出电压(0.1V分辨率)1.2.2)BYTE3-4:输出电流(0.01A分辨率)1.2.3)BYTE12-13:输出功率(1W分辨率)1.2.4)BYTE10:故障码(过载=0x01, 短路=0x02, 过温=0x07)1.3)控制命令:1.3.1)逆变开启:0x7D 0xD7 0xFE 0xDA1.3.2)逆变关闭:0x0F 0xF0 0x5A 0x361.4)APP 消息发送 芯片上电后,会间隔200ms周期持续向外部发送状态消息,长度为 16 个字节。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/ae67300749275601b3a1db11e7fb4c54.png
http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/d684c8ec3181fe1f0c55dd2660427078.png
1.5)APP 消息接收芯片可接收的 APP 消息共有 2 条。
逆变关闭:收到逆变关闭消息后,关闭逆变输出。
逆变开启:收到逆变开启消息后,清除故障状态,启动逆变输出。
消息长度同样为 16 字节,超时 50ms 接收,即外部发送数据时,两个字节之间的时间间隔应小于
50ms,如超过 50ms,则判断为当前消息结束,为提高通讯效率,两个字节之间的时间间隔可以尽量小。两组消息之间时间间隔应大于 50ms,为避免接收乱帧,推荐两组消息之间时间间隔大于 100ms。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/8837f26ce7679c6d14a87b6fe19287df.png
2.CFG功能(参数配置)CFG 功能为高级配置功能,主要实现芯片的工作模式配置、参数校准等功能。 CFG 功能通常应用在逆变系统停机状态下。通过 CFG 功能配置的参数,会存储在芯片内部的 FLASH 空间中,在芯片上电时自动加载。CFG 功能需要外部发送请求消息,芯片响应请求服务并回复应答消息。
发送和接收均采用16字节固定长度,消息以 ASCII 码’E’、’G’开头, CRC16结尾。为区分APP消
息和 CFG 消息, CRC校验结果稍有不同, APP消息的CRC校验结果=f(X16+X15+X2+1)。而CFG消息的CRC校验结果相当于在APP校验基础上加1 ,即 CFG 消息的校验结果=f(X16+X15+X2+1)+12.1)消息头:0x45 0x47(ASCII "E G")2.2)核心服务:2.2.1)0x22服务:读DID(例:读序列号、固件版本)
0x22 服务是读 DID 服务,系统的配置参数、版本信息等都存储在 DID 中,通过请求 0x22 服务,主机可以读取芯片的配置参数和版本信息灯内容。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/3f5ec3424e593e885a8e1eec0b158ae4.png
2.2.2)0x2E服务:写DID(例:写入生产日期)
0x2E 服务是写 DID服务,通过请求 0x2E 服务,主机可以将配置参数和版本信息等内容写入芯片。http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/29e2029e7c3b56b10daa832424926949.pnghttp://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/eced74e1827aa6d2504c307727e32e03.png
2.2.3)0x2F服务:IO控制(例:sfun=0x03开启测试模式)http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/1c25cddb338107cd0e8df2f3009419bd.png
2.3) CFG 请求消息http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/42f49d9d4b5379d6e9bd5d7ec26aef52.png
2.4)CFG 应答消息http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/37126392d5c12915bdc6b4bf6e329ef4.png
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五、测试模式与生产调试为考虑在生产或调试逆变器时,需测试硬件电路的参数及工作情况,比如需测试 MOS 驱动器及门极的上升沿、下降沿参数、运放反馈电路等,CXMD32131 提供了一种测试模式,供用户调试硬件电路使用。通过接 CXMD32131的引脚 23(Test_Mode)到5V,CXMD32131 进入测试模式,在测试模式下,CXMD32131仅做的开环SPWM 输出,各项保护功能无效,即使电压反馈或电流反馈功能不正常,也不影响SPWM 输出。1.进入方式:Test_Mode引脚接高电平2.特性:2.1)开环SPWM输出,关闭所有保护2.2)反馈引脚范围放宽至0-5V(正常模式有严格限值)3.应用场景:3.1)功率管驱动时序测试3.2)运放电路硬件验证4.关键引脚在测试模式下和正常模式下的比较http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/37f78338d8b40a835317d9d258d76245.png
六、典型应用电路参考1.前级升压方案1.1)12V输入:CXLE82104驱动芯片 + CXAC85204 DC/DC模块1.2)24V/48V输入:CXBD3538驱动芯片2.后级逆变方案2.1)H桥驱动:CXBD3501高压MOS驱动芯片2.2)电流采样:RS1-RS4四路独立检测(支持峰值电流保护)3.设计警示:3.1)组三相时母线必须隔离,避免共地干扰3.2)IFBxP/N差分走线长度误差<5mm,减少采样失真结语CXMD32131通过全数字化控制与模块化架构,解决了传统逆变器的波形失真、并联相位同步、多故障保护等核心难题。其兼容光伏/UPS/储能等多场景的特性,结合可扩展的三相级联能力,成为中高功率逆变系统的理想控制核心。开发者可通过串口协议实现远程监控与参数校准,显著提升系统智能化水平。技术规格书(产品PDF)需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持
产品封装图http://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/2c166240c1397aa219eeaa31462341c7.pnghttp://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/884376c5798c8df786ef6fc7d27ca067.pnghttp://www.jtm-ic.com/d/file/p/2025/07-29/e85fcad877ff8fc2d27cdb64ef5bf5a4.png
电路原理图
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