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bartonalfred

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看懂LDO概要
2025-6-20 21:32
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 54
  • 2615
  LDO的功耗会转化为热量,需要考虑散热问题。 使用足够的散热措施,如散热片或铜填充,以控制温升。 ...  
C语言中的“结构体”与“联合体”
2025-6-21 10:54
  • 新唐MCU
  • 28
  • 913
  支持初始化列表,未显式初始化的成员可能包含随机值。  
我SPI主从通信老是读出0xFF
2025-6-25 06:52
  • ST MCU
  • 59
  • 747
  MISO线被上拉电阻拉高  
单片机USB2.0的极限传输速率是多少?
2025-6-20 22:07
  • 新唐MCU
  • 53
  • 1586
  单片机内置的USB控制器(如STM32的USB OTG、CH32V307的USB HS)决定了能否支持高速模式 ...  
电源掉电瞬间单片机会乱跑?
2025-6-25 07:54
  • ST MCU
  • 51
  • 984
  部分寄存器的值可能会发生变化,导致程序状态改变,从而引起程序“跑飞”。 ...  
STM32CubeMX应用结构选择指南
2025-6-20 15:44
  • ST MCU
  • 28
  • 548
  基本(Basic)结构  
单片机延时问题20问
2025-6-21 10:49
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 59
  • 2626
  编译器优化可能删除空循环。  
  如何避免延时导致的资源竞争  
  通过硬件计时,精度可达微秒级  
PID控制及其应用
2025-6-20 19:41
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 24
  • 1268
  PID控制凭借其简单性、鲁棒性成为工业和自动化领域的核心算法,但其性能高度依赖参数整定与场景适配。 ...  
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列五——UART通信实验
2025-6-16 21:25
  • GigaDevice GD32 MCU
  • 225
  • 17076
  在GD32F4xx中,进入空闲中断后需要调用usart_data_receive函数清除接收完成标志位,否则可能会导致空闲中断 ...  
自举电容和mos管发热
2025-6-20 13:33
  • 英飞凌MCU论坛
  • 54
  • 420
  为MOS管添加适当的散热片,以提高散热效率。  
  优先选用低 ESR(等效串联电阻)、高频率特性的电容,如陶瓷电容(X7R/X5R 介质)或薄膜电容。铝电解电容 E ...  
一阶互补滤波
2025-6-20 21:47
  • 国民技术MCU
  • 49
  • 391
  通过示波器或串口打印滤波前后波形,观察噪声抑制与信号保真度。  
现在嵌入式都有些领域可以值得深入学习?
2025-6-16 11:54
  • 芯源CW32 MCU
  • 34
  • 697
  可穿戴设备  
51单片机 堆栈与堆栈指针
2025-6-21 12:36
  • 新唐MCU
  • 49
  • 1741
  当一个函数被调用时,返回地址会被压入堆栈,以便在函数执行完毕后能够返回到正确的程序位置。 ...  
  51单片机内部RAM共256字节(如8051),需合理划分堆栈区、全局变量区和通用RAM区。 ...  
硬件消抖方案的元件参数计算方法
2025-6-15 21:36
  • 芯源CW32 MCU
  • 33
  • 448
  施密特触发器消抖  
  利用施密特触发器的滞回特性过滤抖动噪声。电路由开关、RC滤波和施密特触发器组成。施密特阈值应选择具有合 ...  
电容选择、电路分析
2025-6-20 20:12
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 54
  • 2627
  ESR较高,寿命受温度影响大,有极性。  
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