看懂LDO概要
2025-6-20 21:32
- Megawin(笙泉)单片机
- 54
- 2615
选择合适的封装形式，增加散热片或散热材料，确保良好接触。
NPN型三极管与PNP型三极管区别
2025-6-20 21:54
- Megawin(笙泉)单片机
- 36
- 2695
NPN型的发射区和集电区为N型半导体（电子为多数载流子），基区为P型半导体（空穴为多数载流子）；PNP型则相 ...
C语言中的“结构体”与“联合体”
2025-6-21 10:54
- 新唐MCU
- 28
- 1014
结构体成员的作用域与结构体变量绑定，外部无法直接访问
在第二次编译后警告消失
2025-6-20 15:23
- ST MCU
- 39
- 533
删除或注释未使用的函数和变量，避免不必要的内存占用和警告
简易多级菜单(数组查表法)
2025-6-20 21:33
- 新唐MCU
- 38
- 1911
预定义所有菜单项，按层级顺序排列。主菜单、子菜单、功能项统一存储在一个数组中，通过索引区分层级。 ...
多级菜单的本质是树状结构，通过“主菜单→子菜单→功能项”的层级组织。 ...
STM32如何配置低功耗模式？
2025-6-20 15:52
- ST MCU
- 45
- 1066
1. 唤醒源未正确配置
2. 时钟未初始化
用ADC连续转换时值老跳动，这正常吗？
2025-6-25 07:42
- ST MCU
- 51
- 1130
在VREF引脚与地之间并联10μF电解电容+0.1μF陶瓷电容，滤除高频噪声。
GD32F103C8T6多串口DMA空闲中断通信程序
2025-6-17 12:17
- GigaDevice GD32 MCU
- 37
- 1475
合理设置中断优先级，确保高优先级的中断能够及时响应，同时不影响其他关键任务。 ...
C程序设计语言
2025-6-17 12:05
- 小华半导体
- 31
- 1386
对于初学者来说，这种简洁的编排有助于快速掌握语言的基础。
自举电容和mos管发热
2025-6-20 13:33
- 英飞凌MCU论坛
- 54
- 420
驱动芯片需提供足够的瞬态电流（峰值电流），快速充放电栅极电容，缩短开关过渡时间。 ...
上下管同时导通导致直通损耗。
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列五——UART通信实验
2025-6-16 21:25
- GigaDevice GD32 MCU
- 225
- 17076
根据数据量选择合适的收发方式，避免缓冲区溢出。
为什么zigbee用户很少
2025-6-23 21:26
- Microchip
- 46
- 2174
Wi-Fi 6/6E与蓝牙的普及
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列三十二——FSMC实验
2025-6-16 21:10
- GigaDevice GD32 MCU
- 266
- 26619
用示波器测量关键信号（NWE、NOE、NE、地址、数据）的时序，对比数据手册要求。 ...
5种浪涌防护方法
2025-6-25 10:19
- 芯圣MCU
- 39
- 2118
串联在电路中，防止浪涌过后持续过流损坏器件。
N32G0系列MCU有哪些应用场景？
2025-6-10 11:53
- 国民技术MCU
- 23
- 290
医疗器械
电容选择、电路分析
2025-6-20 20:12
- Megawin(笙泉)单片机
- 54
- 2627
影响：ESR过高会导致电容发热，降低效率，甚至损坏。
选择：低ESR电容适用于高频应用，如陶瓷电容、钽电容 ...
电流采样rc滤波应用
2025-6-8 23:43
- 国民技术MCU
- 19
- 294
对于 SAR 型 ADC，需确保 RC 滤波后的信号在采样保持阶段稳定
对比了一下AT32和GD32, 外设功耗差距有点大呢
2025-6-10 17:06
- 雅特力AT32 MCU
- 22
- 5132
不同的MCU可能提供不同的低功耗模式，如睡眠模式、待机模式和关断模式，这些模式下的功耗会有很大差异。 ...
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