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kmzuaz

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灵动MCU是否支持电压越界自动关机或限流控制?
2025-5-13 20:55
  • 灵动MM32 MCU
  • 20
  • 1066
  通过连接一个取样电阻并利用ADC读取其两端电压,然后根据欧姆定律计算出电流大小。基于此信息,可以在软件 ...  
GPIO输入模式到底带不带上拉?
2025-5-13 21:59
  • ST MCU
  • 23
  • 539
  防止引脚悬空,提高信号稳定性。  
如何配置低功耗模式以节省能耗
2025-5-13 20:15
  • 小华半导体
  • 24
  • 2296
  使用内部RC振荡器(HSI)替代外部晶振(HSE)以降低功耗  
提升单片机代码执行效率
2025-5-13 20:18
  • 芯圣MCU
  • 19
  • 1120
  利用单片机的硬件加速功能,如DMA 进行数据传输  
内存函数
2025-5-13 20:46
  • 凌鸥LKS MCU
  • 18
  • 223
  栈空间用于存储局部变量和函数调用信息。避免在栈上声明过大的数组或结构体,以防止栈溢出。 ...  
如何评估AMCL算法的效果好坏
2025-5-13 21:27
  • 英飞凌MCU论坛
  • 27
  • 878
  定义适合评估AMCL算法效果的指标,如定位精度、收敛速度、鲁棒性等。通过这些指标来量化算法的性能。 ...  
有哪些具体措施可以鼓励更多的软件开发者为 RISC-V 平台添砖加瓦?
2025-5-13 21:29
  • RISC-V
  • 28
  • 4224
  提供在线课程和培训资源,帮助现有开发者快速掌握RISC-V开发技能  
学习结构体
2025-5-11 16:07
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 76
  • 1719
  如果结构体成员本身又是一个结构体,则可以通过多次使用点运算符来访问嵌套结构体的成员。 ...  
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】STM32H7系列十五——SDIO
2025-4-20 22:43
  • ST MCU
  • 221
  • 10880
  如果使用FreeRTOS实时操作系统,需要注意操作系统可使用的堆栈大小设置,最好设置得大一些,以避免内存不足 ...  
RAM是如何划分的?
2025-5-13 16:51
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 45
  • 2833
  当一个函数被调用时,系统会为该函数在栈中分配一块内存空间,用于存储相关信息。 ...  
单片机就那点资源,为啥还要用RTOS?
2025-5-13 16:50
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 83
  • 2887
  如果系统仅需执行少量任务(如LED闪烁、按键检测),前后台系统已足够。  
浮点数性能和一致性
2025-5-13 16:45
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 65
  • 2112
  启用编译器优化(如GCC的-O2或-O3)可以显著提升浮点运算性能。  
IGBT模块适用于哪些产品?
2025-4-29 11:33
  • 英飞凌MCU论坛
  • 47
  • 945
  核心优势在于高可靠性、高效率和高功率密度  
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】STM32H7系列十二——QSPI
2025-4-20 23:01
  • ST MCU
  • 461
  • 21283
  QSPI通常使用DMA2_Stream0~3  
如何查找和排除程序编译中的错误
2025-5-10 11:09
  • 新定义&赛元MCU
  • 45
  • 855
  编译器警告是编译器在编译源代码时发现的潜在问题或不良编码习惯的提示信息。 ...  
电平转换电路
2025-5-13 19:49
  • 新唐MCU
  • 65
  • 2392
  对于功耗较大的电平转换芯片,考虑散热措施,如散热片或风扇。  
PA0输入电平影响ADC采样偏移问题
2025-4-19 13:28
  • 雅特力AT32 MCU
  • 53
  • 3703
  在信号源与ADC之间加入跟随器进行隔离,以降低信号源的内阻,减少干扰。  
使用硬件比较器设计过压保护电路时,如何消除比较器迟滞导致的误触发?
2025-4-29 11:49
  • 英飞凌MCU论坛
  • 38
  • 416
  通过单片机ADC监测输入电压,动态调整比较器阈值  
字符数组的定义与初始化
2025-4-15 22:58
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 27
  • 1968
  可以直接用字符串常量来初始化字符数组  
MOS管相关知识
2025-5-11 15:22
  • 国民技术MCU
  • 41
  • 1079
  MOS 管栅极输入阻抗高,少量电荷就能产生较高电压。因此,在栅极悬空时容易积累电荷导致电压过高而损坏 MOS ...  
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