英飞凌 | 驱动电路设计（五）——驱动器的自举电源稳态设计
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英飞凌 | 驱动电路设计（四）---驱动器的自举电源综述
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碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相
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碳化硅何以英飞凌？—— 沟槽栅技术可靠性真相
2025-6-8 14:30
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英飞凌 | 驱动电路设计（三）---驱动器的隔离电源杂谈
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英飞凌 | 驱动电路设计（二）——驱动器的输入侧探究
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英飞凌 | 功率半导体驱动电源设计（一）综述
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英飞凌创新之作：顶部散热器件，解锁OBC设计功率密度新高度
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英飞凌推出基于MEMS的集成式先进超声波传感器，赋能新型工业和医疗用例
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英飞凌高信噪比MEMS麦克风驱动人工智能交互
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功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息
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功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计
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功率器件热设计基础（十一）——功率半导体器件的功率端子
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功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数
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功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散
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功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流
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功率器件热设计基础（七）——热等效模型
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功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量
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功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容
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功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
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