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日志型写入与分散存储日志型写入（Log-based Write）或称分散存储（Wear Leveling）是通过避免在同一位置 ...

在掉电检测到时，及时保存当前操作状态到 RAM 或立即执行 Flash 写入。

PVD 中断配置示例： cvoid PVD_Config(void) { PWR_PVDTypeDef sConfigPVD; // 配置 PVD 阈值 ...

STM32 内部的 PVD（Programmable Voltage Detector）可以检测电压变化，并在电压低于设定的阈值时产生中断 ...

硬件设计示例：电压检测器：使用电压检测芯片（如 STM32 的内置 PVD 预警电压检测器）监控电源电压，当电 ...

硬件掉电检测与延时电源如果系统允许添加硬件设计，掉电检测电路可以作为一种有效的保护措施。当电源即将 ...

在这种机制下，如果校验和不匹配，意味着写入过程中发生了错误，系统可以决定重新擦除并写入数据，或回滚到 ...

校验和示例： cuint32_t Calculate_Checksum(uint32_t data) { // 简单的校验和计算方法 return da ...

数据校验与回滚机制数据校验与回滚机制可以确保写入操作的原子性。如果在写入过程中数据损坏，可以根据校 ...

示例代码： c #define PAGE_A_ADDRESS 0x08020000 // 假设 PageA 的 Flash 地址 #define PAGE_B_ADDRESS ...

实现步骤：定义两个缓冲区页：设定两个 Flash 页（如 PageA 和 PageB）用于交替存储数据。读取操作：系统 ...

双缓冲区机制双缓冲区机制是最常用的掉电保护方法之一，尤其适用于需要频繁更新的数据存储场景。它的原理 ...

掉电保护的设计原则为了在 Flash 写入过程中实现掉电保护，常见的设计策略包括：双缓冲区机制：使用两个 ...

问题分析 STM32 的 Flash 写操作分为两个主要步骤：页擦除：Flash 写入必须在页被擦除的情况下进行，一旦 ...

在嵌入式系统中使用 STM32 的 Flash 存储时，如果在写入操作过程中发生掉电，可能会导致数据丢失或损坏。这 ...

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