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阿尔法99

紧急！怎么缩短STM32H743 FMC 连续两次读PSRAM的时间间隔？

STM32H743 通过FMC 与FPGA通讯。设计成PSRAM，地址数据复用模式，16bit宽度。连续两次读操作时间间隔最小约130ns，与地址建立时间，地址保持时间，数据保持时间无关。而连续两次写操作时间间隔最小约10ns。请问怎么缩小两次读操作的时间间隔？

H743 FMC PSRAM stm32h743

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wozuikeai1

GD32C103FMC到底能不能半字写入 sos

看了官网的文件说可以16位写入，但库函数内部并没有半字写的函数，自己造了一个也没效果

函数 GD32C103 FMC 官网库函数

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sumwms

GD32F103VET6 FMC 512KB flash，后256KB无法写入数据

使用GD32F103VET6芯片进行flash读写，经过测试发现flash写操作只能在前256KB，在后256KB则无法进行写操作，查看手册针对这两块内存的区别在指令零等待或延时，但是对读写操作上会存在什么区分呢？擦除使用fmc_page_erase接口如下是操作demo： /** * @description: EEPROM read data * @param : uint16_t write_addr: EEPROM addr(first addr: ) [input] * uint8_t *buffer: Temporary storage cache [output] * uint16_t length: len (unit: BYTE) [input] * @return: success: 0 | fail: 1 */ static int flash_write_word(uint32_t write_addr, const uint32_t *buffer, uint16_t length) { uint16_t i = 0; uint32_t *tempBuff = NULL; fmc_state_enum state = FMC_PGERR; if (buffer == NULL || ((write_addr % 4) != 0)) { return -1; } if ((write_addr) < FLASH_STORE_BASE_ADDR || ((write_addr + length * 4) >= (FLASH_BASE_ADDR + FLASH_SECTOR_SIGLE_SIZE * FLASH_SECTOR_TOTAL_SIZE))) { return -1; } tempBuff = (uint32_t *)buffer; fmc_unlock(); __disable_irq(); for (i = 0; i < length; i++) { fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); state = fmc_word_program(write_addr + 4 * i, *(tempBuff + i)); if(state != FMC_READY) { __enable_irq(); fmc_lock(); return -1; } } __enable_irq(); fmc_lock(); return 0; }

GD32 MCU fm gd32F103 flash TE

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