问答

[color=#333333][backcolor=rgb(242, 249, 253)][font=Tahoma, "][size=16px][font="][size=14px]关于全桥逆变电路烧mos管的问题想请教大佬，首先这是我的原理图，用STM32产生的PWM驱动。[/size][/font][/size][/font][/backcolor][/color] [img=740,462]https://bbs.21ic.com/data/attachment/forum/202403/08/102609kth1w2q7zmhv72dd.jpg.thumb.jpg[/img] [color=#444444][backcolor=rgb(242, 249, 253)][/backcolor][/color][img=740,358]https://bbs.21ic.com/data/attachment/forum/202403/08/102617kqf36q7157uz67qu.jpg.thumb.jpg[/img][color=#444444][backcolor=rgb(242, 249, 253)][/backcolor][/color] [color=#333333][backcolor=rgb(242, 249, 253)][font=Tahoma, "][size=16px][font="][size=14px]逆变电路在给定12伏的直流电时，输出一般，但是好歹是正常的。[/size][/font][/size][/font][/backcolor][/color][color=#444444][backcolor=rgb(242, 249, 253)][font=Tahoma, "][size=16px] [/size][/font][/backcolor][/color][img=740,416]https://bbs.21ic.com/data/attachment/forum/202403/08/102458s840xlz8l0hlx4rn.jpg.thumb.jpg[/img][color=#444444][backcolor=rgb(242, 249, 253)][/backcolor][/color][font=Helvetica Neue, Helvetica, Arial, PingFang SC, Hiragino Sans GB, WenQuanYi Micro Hei, Microsoft Yahei, sans-serif][color=rgb(68, 68, 68)][backcolor=rgb(242, 249, 253)][size=16px][color=#333333][size=14px] [/size][/color][/size][/backcolor][/color][/font][color=#333333][backcolor=rgb(242, 249, 253)][font=Tahoma, "][size=16px][font="][size=14px]但是一旦加到四五十伏，左边两个mos就烧坏了，右边两个反而没问题，从原理图上看，左边两个mos管分别是两路的高端和低端啊，请问这可能是什么原因造成的呢？难道是哪里的元件接反了（我检查了好几遍，确认过IRF840的手册，感觉没啥问题啊），还是说我pwm波死区设置的太小了？[/size][/font][/size][/font][/backcolor][/color] [img=740,416]https://bbs.21ic.com/data/attachment/forum/202403/08/102804qfvzngcsq5z5fzjt.jpg.thumb.jpg[/img] [color=#444444][backcolor=rgb(242, 249, 253)][/backcolor][/color][img=740,554]https://bbs.21ic.com/data/attachment/forum/202403/08/102809en1emhrrpjny2p22.jpg.thumb.jpg[/img]

[i=s] 本帖最后由 Q1011503783 于 2021-9-1 10:24 编辑 [/i] 在电路中选择MOS管时主要看哪些参数？这种MOS管芯片和那种三个引脚的有什么区别？求大佬指点一下[attach]1748628[/attach][attach]1748614[/attach]

[table=98%,rgb(222, 240, 251)] [tr][td]小弟目前这个双管反激电源是140V-420V输入，48V（0.83A）和15V（0.33A）输出，电流峰值反馈型，1.5:100的电流互感器做电流采样，使用美磁铁镍钼磁芯做反激变换器，外径大概在23mm，设计出来初级175T(1.28mH),48V路73T，15V路23T。目前出现的问题是反激变压器温升很快且很大，室温能到100℃+，其中一个MOS管温升大概在50℃，另一个正常20℃。目前贴出了初级电流的波形，在不同输入电压下。对了 目前测试用的电阻做假负载，满载功率是40W，现在带载约40%。[/td][/tr] [/table]

[color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=微软雅黑]寻找BW 16GHz 以上的MOS管或三极管。[/font][/backcolor][/color] [color=rgb(68, 68, 68)][font=微软雅黑]BW 指导通后D-S通道或C-E通道带宽[/font][/color] [color=rgb(68, 68, 68)][font=微软雅黑]我找了一部分MOS管都没有列出此指标。所以寻求帮助。[/font][/color]

最近的项目打算使用MOS管高端驱动IC芯片，目前选型是IR2117，由于平时硬件涉及不多，有个疑惑希望大家帮忙解答！ MOS管驱动IC是不是只能工作在PWM模式下？如果被控MOS管长时间处于打开状态，自举电容是不是会被放电？从而导致开关失灵的情况发生？ 下面是IR2117的典型应用和内部框图，盼各位大神答疑解惑，谢谢！ [img]http://bbs.**/data/attachment/forum/202012/13/212601mwjre3jw7q3xg3jx.jpg.thumb.jpg[/img][img]http://bbs.**/data/attachment/forum/202012/13/212553jsn29wisvt5si3np.jpg.thumb.jpg[/img]

三极管和MOS管驱动电路的使用方法

MOS管及三极管的工作原理有什么区别

请问达人，P沟道MOS管在做开关电路应用时，为什么要额外用另一个MOS管或者三极管来控制P沟道MOS管的栅极？为何不能直接将控制信号直接连接到P沟道MOS管的栅极，直接控制P沟道MOS管的开关？[url=//bbs.21ic.com/data/attachment/album/202012/08/134221vht69ly69ylmd1js.png][img]//bbs.21ic.com/data/attachment/album/202012/08/134221vht69ly69ylmd1js.png[/img][/url][url=//bbs.21ic.com/data/attachment/album/202012/08/134229co60p409v790ekk0.png][img]//bbs.21ic.com/data/attachment/album/202012/08/134229co60p409v790ekk0.png[/img][/url]

打算设计一个锂电池（48V）智能充电器。 采用市场上常用的方案+ MCU控制，控制充电的电源（48V）用MOS管还是三极管好？ 有没有参考电路？ 如何选型器件呢？ 本人对软件较熟悉，硬件薄弱。多指教谢谢了

MOS管电压控制器件，为什么输入功耗非常低呢？

请问MOS管输入电阻可以选这么大吗？谢谢

如图中的Q2203用的是DTS4501的P MOS电路,他的输入电压为24V，现在主控通过一个三极管进行控制MOS管的导通，现在出现了一部分电路工作正常，一部分工作不正常的问题，请问这是为什么？

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。 二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。 MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。 三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 （5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 （6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。 其他比较： 1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。 场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子 2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流。 场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。 3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大。 4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。 5、场效应管的频率特性不如三极管。 6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。 7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

如下电路，输入36V，通过控制Q45的栅极开控制电源的输出，当不加负载的时候，TURN-BAT-4为低时输出有电压，TURN-BAT-4为高时输出无电压。 但是当MOS管流过电流也就是输出有负载的情况下，将TURN-BAT-4引脚置1，MOS管击穿，不清楚什么原因，请帮忙分析一下。

自激式开关电源，MOS管驱动电平正常的时候是100k左右，但是会跳变到28k，不知道什么原因？ 负载不变，电流保护没起作用，输出会有变化。