问答

我测试了产生20Khz是没问题的，但是想产生1HZ的信号，出现问题。然后测试了50hz及20hz也没问题，最低到10hz出现问题。请问是什么原因呢

stm32f4如何能够采样100Khz的信号

STM32F4 各项功能都已OK 现在需要改为AT32 想问一下 程序可以通用吗 主频怎么办 原来是用HAL库写的

我查阅gd32官方的移植手册时，发现gd32的时钟和stm32有一些差别，stm32库中好像没有IRC16M，HXTAL这样的时钟。因为源代码不是本人所写，本人技术也欠佳，一时间也不知道如何是好。于是就来求助各位大神，尽可能还是用stm32的库函数吧。多谢各位了！！

AT32F407AVG是没有货吗 最近需要出货，之前用的STM32F407VE，现在成本好高，也买不到，想着AT32F407AVG可以替代，可以问了一圈说没货，奇怪......

在寻找 STM32F407ZET6 的替代，请问雅特力有没有直代的型号？就是用IAR编译完直接用SWD写入。。。

用stm32f407对sd卡进行初始化，在上电发送CMD8时，返回错误：命令响应超时。SDIO->STA的值为0x00000004，有没有大佬可以办忙解决一下啊[img]https://bbs.21ic.com/static/image/smiley/comcom/7.gif[/img]

[color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]我在使用STM32F4中发现另一个奇怪的现象。[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]我用STM32F407VGT6 作为数字控制电源的处理器。将ADC转换系数存在Flash中。例如：[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]VolCoeff1 = ( *(s32*)VOL1_COEFF_ADDR），VOL1_COEFF_ADDR为Flash地址。则真实的电压为[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]the real voltage=VolCoeff1 * ADC digital value[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]在TIM2定时器中断（15kHz，66.7us）中读取系数，用于真实电压/电流的换算。因为有十几个ADC转换系数，因此每小时读Flash的次数超过7亿次。[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]后来发现：[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]（1）存在用户Flash区域中的ADC转换系数有的变为0（转换的真实采样值变为0，并且在Keil 内存Watch窗口可以看到）。[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]（2）此外，有的系数在对过程中是不断变化的，这个在Keil 内存Watch窗口中也可以观察到（写flash的指令都被屏蔽了）。[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]在重新刷写相应的Flash数据扇区后，系数都能恢复正常。[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]上述现象与很多文献所说的read disturb（就是过量读操作可能导致Flash数据改变）比较吻合。但我现在也不能完全确定。[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]内核在程序存储区取指令应该也是一种“读”操作吧，这与访问用户自定义的Flash数据区有什么区别吗？[/size][/font][/backcolor][/color] [color=#444444][backcolor=rgb(255, 255, 255)][font=Tahoma, "][size=15px]希望有大神能给于解释，不甚感激！！！[/size][/font][/backcolor][/color]

如标题，STM32F4代码直接移植到GD32F4上，SDIO能用，但读写速度很慢，使用轮询的方式读数据，GD比ST慢10倍，请问有人知道怎么回事，怎么改，STM32用的是HAL库

stm32f405rg 手指可感觉到温度,大概40-50,温升这么大吗?