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这是STM32读Flash的“read disturb”现象吗？
我在使用STM32F4中发现另一个奇怪的现象。
我用STM32F407VGT6 作为数字控制电源的处理器。将ADC转换系数存在Flash中。例如：
VolCoeff1 = ( *(s32*)VOL1_COEFF_ADDR），VOL1_COEFF_ADDR为Flash地址。则真实的电压为
the real voltage=VolCoeff1 * ADC digital value
在TIM2定时器中断（15kHz，66.7us）中读取系数，用于真实电压/电流的换算。因为有十几个ADC转换系数，因此每小时读Flash的次数超过7亿次。
后来发现：
（1）存在用户Flash区域中的ADC转换系数有的变为0（转换的真实采样值变为0，并且在Keil 内存Watch窗口可以看到）。
（2）此外，有的系数在对过程中是不断变化的，这个在Keil 内存Watch窗口中也可以观察到（写flash的指令都被屏蔽了）。
在重新刷写相应的Flash数据扇区后，系数都能恢复正常。
上述现象与很多文献所说的read disturb（就是过量读操作可能导致Flash数据改变）比较吻合。但我现在也不能完全确定。
内核在程序存储区取指令应该也是一种“读”操作吧，这与访问用户自定义的Flash数据区有什么区别吗？
希望有大神能给于解释，不甚感激！！！
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