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NMOS过流保护
如图，想设计一个过流保护电路，R12是检测电阻，检测电阻*电流产生的电压大于NPN管be两端的电压，导通以后拉低MOS的栅极电压从而关断MOS管，但是实际仿真断开连接MOS栅极那条线，NPN显示导通了，但是连接上以后MOS的栅极电压是3.6V，MOS管仍然导通，这个3.6V的电压是怎么产生的，NPN导通以后应该直接接地了，为什么还有3.6V的电压，去掉了C6、C7、R10、R11仍然是这种现象，想问一下这种是什么情况
后面改成这样，仿真出来M1栅极还是有电压，M1无法关断，这种是怎么回事，就像通过三极管导通拉低NMOS的栅极电压但是老是无法拉低，无法关断，求指点
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这位兄弟说的极是，一直习惯用于直接接ic内部比较器，忘记这回事了
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自锁型过流
2025-1-16 09:38 上传
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2025-01-16
你这个电路是过流后直接锁死，重启复位
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说错了，去掉R11，三极管集电极接R1和R3的连接点，这样就会形成打嗝式保护
另外要是过流就自动断开不再恢复，后面有位说的用可控硅做更合适
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2025-01-16
打不了嗝的，可以仿真一下看看会变成线性恒流源，要打嗝需要上比较器，并且比较器电路的供电需要用二极管和大电容和母线隔离出来，防止短路的时候供电被拉低
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这种方式，us方式我试过，OCP触发很灵敏，但是短路就来不及，会导致前级电压直接拉低的
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2025-01-15
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2025-01-15
又学到了
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2025-1-15 12:47 上传
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2025-01-15
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这个电路即使在元器件参数都合适的情况下最终也会变成线性恒流源烧毁功率MOS管，不会过流后咔一下完全关闭的
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2025-01-15
那怎么改善一下呢
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2025-01-15
去掉以后MOS栅极增大电流以后mos栅极依然会有3.6V的电压，MOS还是未关断
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2025-01-15
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图1，你想一下，电流大了会让三极管导通，三极管导通让MOS管关断，MOS关断让电流变小，电流变小让三极管关断，是个负反馈过程，而且不只是“导通”与“关断”，会有中间的过程，最终要么不断的通断形成振荡，要么达到平衡稳定在一个值变成恒流源。
图3的Q1、Q2你看像不像可控硅，导通后是不是会让电源短路？或让三极管炸掉？三极管基极要不要加限流电阻？
只能说，幸好只是仿真。
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2025-01-15
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