日志
谐波的抑制
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一.谐波大的原因
首先，电源纹波通常只会附加一定的寄生调幅，数百M的RF电路，只需10nF级的高频退耦电容，即可达到良好的退耦作用，而10nF的电容，对电源纹波的抑制作用甚微，退耦电容，与主谐振网络组成的环路越小越好。
谐波通常指2次、3次、4次等整数倍的高次谐波，高次谐波的产生，主要是因为功率电路的非线性失真引起，因为不知道楼主的电路拓朴（10dBm的功率级，通常的做法是振荡+缓冲+功率输出+LPF，当然不排除个别设计是功率振荡+LFP输出），所以只能两种情况都分析一下。
对于振荡+缓冲+功率输出+LPF的拓朴，谐波的主要来源于功率输出级，对于功率较大的RF功率输出级，通常工作于丙类，需要用专门的LPF来抑制谐波成分。传统的LPF传输特性有巴特奥斯型、切比雪夫型两种，这两种传输特性的LPF对器件精度要求较低，特别是前者，可以在生产时实现免调。当然，也有个别的电路设计成考尔型，但对器件器精度要求极高，并且调试不便。
而对于单级输出的简易电路，是最不好调试的。OSC级工作点适中，保证晶体管工作在线性区，加上电路本身较高的Q值，是可以保证输出波形为纯正正弦波的。但如果工作点过高或过低，都会引起波形畸变，谐波成分增大，波形的畸变有3种情况：
谐波通常指2次、3次、4次等整数倍的高次谐波，高次谐波的产生，主要是因为功率电路的非线性失真引起，因为不知道楼主的电路拓朴（10dBm的功率级，通常的做法是振荡+缓冲+功率输出+LPF，当然不排除个别设计是功率振荡+LFP输出），所以只能两种情况都分析一下。
对于振荡+缓冲+功率输出+LPF的拓朴，谐波的主要来源于功率输出级，对于功率较大的RF功率输出级，通常工作于丙类，需要用专门的LPF来抑制谐波成分。传统的LPF传输特性有巴特奥斯型、切比雪夫型两种，这两种传输特性的LPF对器件精度要求较低，特别是前者，可以在生产时实现免调。当然，也有个别的电路设计成考尔型，但对器件器精度要求极高，并且调试不便。
而对于单级输出的简易电路，是最不好调试的。OSC级工作点适中，保证晶体管工作在线性区，加上电路本身较高的Q值，是可以保证输出波形为纯正正弦波的。但如果工作点过高或过低，都会引起波形畸变，谐波成分增大，波形的畸变有3种情况：
A、正半周失真、负半周失真、正负半周均失真。发生A、B两种情况，是工作点过高或过低，晶体管部份进入截止或饱合状态，发生情况C，则是振荡过强，输出限幅所致。对于这类电路，要设定振荡器工作在纯甲类状态，并在最低工作电压供电情况下，推导出最佳交流输出阻抗，来决定工作点，并跟据该阻抗设计输出阻抗变换电路。
对于晶体管的选择，经验证明，作为OSC级的晶体管，ft值取3-5倍是最适合的，过低易停振，过高易引起寄生振荡。
对于中间有倍频电路的RF电路，输出中不但含有高次谐波，还会有1/2、1/3、1/4、1/6等基波干扰，这些基波成分不能被输出LPF滤除，而要在倍频选频回路上下功夫。
射频输出中，除了上面讲的高次谐波、基波以外，还不同程度地含有与主载频没有直接关系的杂波，产生杂波的因素很多：寄生振荡，外来射频干扰，PLL，MCU电路都够资格成为这些杂波的疑凶。
谐波的抑制度，原则上以满足相关认证规定不准，并非越高越好，任何一个高次谐波的输出功率不超过2.5uW为原则，故楼主的应用需达到36dB抑制度,即绝对值低于-26dBm,考虑一定裕量,做到-30dBm即可。（记得8年前的CE标准是这样，现在有没有变动，不得而知。）
对于晶体管的选择，经验证明，作为OSC级的晶体管，ft值取3-5倍是最适合的，过低易停振，过高易引起寄生振荡。
对于中间有倍频电路的RF电路，输出中不但含有高次谐波，还会有1/2、1/3、1/4、1/6等基波干扰，这些基波成分不能被输出LPF滤除，而要在倍频选频回路上下功夫。
射频输出中，除了上面讲的高次谐波、基波以外，还不同程度地含有与主载频没有直接关系的杂波，产生杂波的因素很多：寄生振荡，外来射频干扰，PLL，MCU电路都够资格成为这些杂波的疑凶。
谐波的抑制度，原则上以满足相关认证规定不准，并非越高越好，任何一个高次谐波的输出功率不超过2.5uW为原则，故楼主的应用需达到36dB抑制度,即绝对值低于-26dBm,考虑一定裕量,做到-30dBm即可。（记得8年前的CE标准是这样，现在有没有变动，不得而知。）
二、SAW谐振器
SAW谐振器当一个窄带电感使用，即电感量变化可以很大，频率变化不大，这是这类振荡器稳定的原因。
SAW滤波器也会有Re-entry,即，如同谐波，在倍频上也有输出。
振荡器的谐波来自输出的高幅度、非线性，控制的方式有：
1、加低通滤波器
2、用低ft器件(保证振荡下，越低越好)
3、降低偏置(也等效为降低了ft)，可以使滤波前的谐波抑制在20-40dB之间。只是输出幅度也会降低。
SAW滤波器也会有Re-entry,即，如同谐波，在倍频上也有输出。
振荡器的谐波来自输出的高幅度、非线性，控制的方式有：
1、加低通滤波器
2、用低ft器件(保证振荡下，越低越好)
3、降低偏置(也等效为降低了ft)，可以使滤波前的谐波抑制在20-40dB之间。只是输出幅度也会降低。
另外，合理的选择声表滤波器＋低通滤波器，完全可以得到很大的带外衰减和谐波抑制比，但前提是你的参数要计算、调试准确！
最有效的就是用低通滤波器。低通拐角频率处陡峭对抑制低倍频有利，但是也容易有Re-entry的问题。
元件的Q值希望高，与宽带滤波器的低系统Q值是两回事，两者可以不矛盾。但是有时候也需要增加元件的损耗、有选择性地吸收能量，降低Re-entry的幅度。
总之，要想实现宽带谐波抑制，就需要对上述措施进行综合的考虑
最有效的就是用低通滤波器。低通拐角频率处陡峭对抑制低倍频有利，但是也容易有Re-entry的问题。
元件的Q值希望高，与宽带滤波器的低系统Q值是两回事，两者可以不矛盾。但是有时候也需要增加元件的损耗、有选择性地吸收能量，降低Re-entry的幅度。
总之，要想实现宽带谐波抑制，就需要对上述措施进行综合的考虑
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