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常用电容容值
【单位pF】
39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P
100 P 120 P 150 P
180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P
470 P 560 P 620 P
680 P 750 P
【单位nF】
1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 10 15 18 22 27 33
39 56 68 82
【单位uF】
0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2
常用电阻值
1 10 100 1.0 K 10 K 100 K 1.0 M
1.1 11 110 1.1 K 11 K 110 K 1.1 M
1.2 12 120 1.2 K 12 K 120 K 1.2 M
1.3 13 130 1.3 K 13 K 130 K 1.3 M
1.5 15 150 1.5 K 15 K 150 K 1.5 M
1.6 16 160 1.6 K 16 K 160 K 1.6 M
1.8 18 180 1.8 K 18 K 180 K 1.8 M
2 20 200 2.0 K 20 K 200 K 2.0 M
2.2 22 220 2.2 K 22 K 220 K 2.2 M
2.4 24 240 2.4 K 24 K 240 K 2.4 M
2.7 27 270 2.7 K 27 K 270 K 2.7 M
3 30 300 3.0 K 30 K 300 K 3.0 M
3.3 33 330 3.3 K 33 K 330 K 3.3 M
3.6 36 360 3.6 K 36 K 360 K 3.6 M
3.9 39 390 3.9 K 39 K 390 K 3.9 M
4.3 43 430 4.3 K 43 K 430 K 4.3 M
4.7 47 470 4.7 K 47 K 470 K 4.7 M
5.1 51 510 5.1 K 51 K 510 K 5.1 M
5.6 56 560 5.6 K 56 K 560 K 5.6 M
6.2 62 620 6.2 K 62 K 620 K 6.2 M
6.8 68 680 6.8 K 68 K 680 K 6.8 M
7.5 75 750 7.5 K 75 K 750 K 7.5 M
8.2 82 820 8.2 K 82 K 820 K 8.2 M
9.1 91 910 9.1 K 91 K 910 K 9.1 M
10 M 11 M 12 M 13 M 15 M 18 M 20 M
变容二极管
变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化
而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。
变容二极管在高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。
工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容
容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:
(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。
(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送
到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管
名称 共发射极电路 共集电极电路(射极输出器) 共基极电路
输入阻抗 中(几百欧~几千欧) 大(几十千欧以上) 小(几欧~几十欧)
输出阻抗 中(几千欧~几十千欧) 小(几欧~几十欧) 大(几十千欧~几百千欧)
电压放大倍数 大 小(小于1并接近于1) 大
电流放大倍数 大(几十) 大(几十) 小(小于1并接近于1)
功率放大倍数 大(约30~40分贝) 小(约10分贝) 中(约15~20分贝)
频率特性 高频差 好 好
应用
共发:多级放大器中间级,低频放大
共集: 输入级、输出级或作阻抗匹配用
共基: 高频或宽频带电路及恒流源电路
场效应晶体管放大器
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备
中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。
3、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少
电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电
流的条件下,应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载
流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地
把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了
广泛的应用。