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使用飞思卡尔MC9S08LL8的经验三：用FLASH模拟EEPROM（原创）
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MC9S08LL8是双FLASH模式，2K的FLASH A和8K FLASH B，总共有10K FLASH可用。对于一般的产品开发足够用了。数据手册里面都有对FLASH操作的详细说明，这里面需要注意的是：由于FLASH编程是高压操作，所以这时从FLASH中取指令会不安全，而对FLASH操作的指令代码确又存储在FLASH中，因此需要在对FLASH编程或者擦除之前，将操作FLASH的这部分指令代码拷贝到RAM中运行，等执行完这部分指令后又回到FLASH中取指令。这个过程也就实现了FLASH模拟EEPROM，如图1.6所示。
图1.6 flash模拟EEPROM过程
一开始我从网上下载了一篇作者是师英写的《在HCS08上使用Flash模拟EEPROM.pdf》，参考里面写的代码没有成功，主要是里面对FLASH操作的关键代码是用指令代码写的，看得比较晕，也不知道那边错了。不过我发现他里面的对EERPOM交替写的思路挺好。但是那个遍历的不是很适用，因为它的存储需要遍历，而我认为存储到EERPOM是不需要遍历的，读取的时候需要遍历，遍历完的地址保存起来，给需要存储时用。
后来在飞思卡尔代理商威健的应用工程师帮助下，最终我实现了FLASH模拟EEPROM。在此表示感谢！！当然是换了一种方法。采取的措施是：
先编译这段需要拷贝到RAM运行的代码，看他所占用FLASH的大小Cx，然后分配一个RAM空间大于等于Cx给这段代码用，最后作为一个库给LL8调用。这里面需要注意几个问题：
① RAM的分配
② ROM的分配
③ FLASH操作的频率控制在150kHz~200kHz内。
没有模拟成功的最大问题是RAM和ROM的分配不正确。个人建议，先理解模拟EEPROM的整个过程，才能很快找出自己程序的问题所在。
