日志
关于C6000中SDRAM寄存器参数的设置过程与详细说明
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首先弄清楚有哪些参数需要设置，对于C6211/C6711，有以下参数需要设置：
基本信息：位，BANK数，ROW SIZE，COLUMN SIZE共4项；
时序参数：TRC，TRP，TRCD，Refresh period（ECLKOUT CYCLES），Extra refreshes ctrl，
CAS latch (TCL)，tras，trrd，Twr，Thzp（共10个参数）；
附加时序：Read to read，Read to DEAC/DEAB，Read to write，Read to write with interrupt，
Write to write，Write to DEAC/DEAB，Write to read（共7个参数）。
此外CEn寄存器还有对异步时序的参数设计，如Read strobe width，Read setup width等，这些参数对SDRAM无影响。
各参数的具体意义不再废话多说了，记录一下各个参数的具体设置过程：
基本信息就太简单了，我用的是32bit、4banks的12（r）*9（l）的SDRAM；
时序参数可以通过SDRAM的datasheet直接查出来，值得提的是Refresh period，datasheet中刷新周期为64ms，因为该SDRAM有12个R地址线，即有2的12次方共4K需刷，CLK时钟为150MHz，CLK周期约为6ns，则设置的周期数为64ms/4K/6ns，结果约2605个周期。
附加时序的设置在SDRAM的datasheet中就找不到依据了，这个得参考TI的SPRA433B.PDF
文档，第34页有详细说明和推荐参数设置，按照推荐参数设置就OK了。
此外要提醒一下的是：利用CCS的CSL（片级支持库）进行设置时，留意各个参数的表达式。具体来说就是：时序参数（共10个）都不需要做加减处理，直接按照datasheet的参数填，而附加时序栏的参数则需要根据TI文档的推荐值加1。
最后我设置的关于现代的32位166MHz的SDRAM具体参数如下（ECLKOUT时钟为150MHz）：
SDRAM相关设置
BANK数 | 4 | ||
ROW SIZE | RA0---RA11（12） | ||
COLUMN SIZE | CA0---CA8（9） | ||
SDRAM datasheet | Value in CCS | ||
TRC | 10CLKS (>60ns) | 10 | |
TRP | 3CLKS (>18ns) | 3 | |
TRCD | 3CLKS (>18ns) | 3 | |
Refresh period（ECLKOUT CYCLES） | 64ms/4K(12 row) | 2605 | |
Extra refreshes ctrl（XRFR） P28 controls the number of refreshes performed to SDRAM when the refresh counter expires | 仅两位（2bits） | 1 | |
CAS latch (TCL) | 3CLKS | 3 | |
tras | 7CLKS (42ns-100k) | 7 | |
trrd | 12ns (2CLKS) | 2 | |
Twr (Write recovery, time from last data out of C6000 (write data) to DEAC/DCAB Command) | 2CLKS | ||
Thzp (High Z from precharge, time from DEAC/DCAB to SDRAM outputs (read data) in high Z) | 3CLKS | 3 | |
Read to read (Eclkout cycles) | 需参照 SPRA433B.PDF P34 | 0(+1) | 需要在CSL中加上一 |
Read to DEAC/DEAB | 1(+1) | ||
Read to write | 4(+1) | ||
Read to write with interrupt | 2(+1) | ||
Write to write | 0(+1) | ||
Write to DEAC/DEAB | <FONT face
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