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学习ARM MMU工作原理（2）
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1.
Nand Flash、Nor Flash、SDRAM地址区别
Nand Flash：ROM，容量大，适用于数据存储，ARM不能从Nand中直接启动，需要把程序从Nand的前4k空间中拷贝到SDRAM，然后再从SDRAM中启动。
Nor Flash：ROM，容量小，适用于程序存储，ARM可以从Nor Flash中直接启动。
SDRAM： RAM，容量大，操作系统等大型软件都运行在SDRAM中。
2.
S3c2440寻址空间：
S3C2440有27根地址线ADDR[26:0]，8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7，当访问bankx的地址空间，ngcsx引脚为低电平，选中外设。
2^27=2^7
* 2^10 * 2^10 = 128Mbyte
8*128Mbyte = 1Gbyte
所以S3C2440总的寻址空间是1Gbyte。（也就是最高地址0x40000000）
寻址空间如下图：
3.
SDRAM的寻址原理：
SDRAM内部是一个存储阵列。可以把它想象成一个表格。和表格的检索原理一样，先指定行，再指定列，就可以准确找到所需要的存储单元。这个表格称为逻辑BANK。目前的SDRAM基本都是4个BANK。寻址的流程就是先指定BANK地址，再指定行地址，最后指定列地址。这就是SDRAM的寻址原理。
4.
内存片（HY57V561620F）的连接方式：
HY57V561620F的容量是16M寻址*16位宽=256Mbit。
TQ2440中使用了两片内存，总容量为2*32M=64Mbyte。
A0-A12是地址线：行地址、列地址复用，行地址使用A0-A12（13条），列地址使用A0-A8（9条）。
BA0-BA1是bank选择引脚。(bank选择与行地址(row address)同时下发，在列地址下发时，有其他用途)。
这个SDRAM有
13根行地址线
RA0-RA12
9根列地址线
CA0-CA8
2根BANK选择线 BA0-BA1
SDRAM的地址引脚是复用的，在读写SDRAM存储单元时，操作过程是将读写的地址分两次输入到芯片中，每一次都由同一组地址线输入。两次送到芯片上去的地址分别称为行地址和列地址。它们被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器。/RAS是行地址锁存信号，该信号将行地址锁存在芯片内部的行地址锁存器中；/CAS是列地址锁存信号，该信号将列地址锁存在芯片内部的列地址锁存器中。
SDRAM的A0接S3C2440的ADDR2,很多初学者都对这里又疑问。A0为什么不接ADDR0？
要理解这种接法，首先要清楚在CPU的寻址空间中，字节（8位）是表示存储容量的唯一单位。
用2片HY57V561620F扩展成32位SDRAM，可以认为每个存储单元是4个字节。因此当它的地址线A1:A0=01时，处理器上对应的地址线应为ADDR3:ADDR2=01（32位SDRAM每4字节一个地址，对应于CPU）（因为CPU的寻址空间是以Byte为单位的）。所以SDRAM的A0引脚接到了S3C2440的ADDR2地址线上。
（可以看成，ARM的寻址地址=CPU的地址*4，因为对CPU来讲相当于没读一次都相隔4byte）。
同理，如果用1片HY57V561620F，数据线是16位，因为一个存储单元是2个字节，这时SDRAM的A0要接到S3C2440的ADDR1上。
也就是说SDRAM的A0接S3C2440的哪一根地址线是根据整个SDRAM的数据位宽来决定的。
上面的接线图上，BA0,BA1接ADDR24,ADDR25，为什么用这两根地址线呢？
BA0~BA1代表了SDRAM的最高地址位。因为CPU的寻址空间是以字节（Byte）为单位的，本系统SDRAM容量为64MByte，那就需要A25~A0（64M=2^26）地址线来寻址，所以BA1~BA0地址线应该接到2440的ADDR25~ADDR24引脚上。
13根行地址线+9根列地址线 = 22根。另外HY57V561620F一个存储单元是2个字节，相当于有了23根地址线。BA0,BA1是最高地址位，所以应该接在ADDR24,ADDR25上。
5.
启动过程中寻址方式
系统启动取决于S3c2440 CPU的OM0、OM1两个引脚的取值：
因此在TQ2440中，直接将OM1接地（永远为0），OM0作为拨码开关，来选择是从nand启动（接地，0）还是从nor 32-bit启动（悬空，1）。
6.
Nor Flash引脚图（EN29LV160AB-70TCP）
地址线A0-A19，共20条；
数据线D0-D15，共16条（D15为数据、地址复用）；
当47脚BYTE#配置为字节byte模式时(0)，D15用于A-1地址线，所以寻址空间为20+1=21条，也就是2M byte。
当47脚BYTE#配置为双字word模式时（1），D0-D15都用于数据线，寻址空间为20条，1M，数据线D0-D15有效，数据量为1M*2=2Mbyte。(TQ2440采用此模式)
7.重要信息地址
| 标示 | 地址 | 含义 |
寄存器 | 寄存器范围 | 0x48000000~0x5fffffff |
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| S3C24X0_GPIO_BASE | 0x56000000 | Gpio各寄存器基地址 |
| S3C2410_SDI_BASE | 0x5A000000 | SDI |
| S3C24X0_USB_DEVICE_BASE | 0x52000140 | 用户设备 |
| S3C2410_NAND_BASE | 0x4E000000 | Nand |
| S3C24X0_LCD_BASE | 0x4D000000 | LCD |
| S3C24X0_INTERRUPT_BASE | 0x4A000000 | 中断 |
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运行数据 | _bss_start | 0x33db6990 |
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| _armboot_start | 0x33d80000 |
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| CFG_ENV_SIZE | 0x20000 |
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| FREE_RAM_SIZE | 0x3d1df7c |
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宏观内存范围 | Nor Flash(nor 启动方式) | 0x00000000~0x001fffff | Nor flash位于bank0。 2Mbyte容量。 |
| CPU内部SRAM（Nand Flash启动方式） | 0x00000000~ | Nand flash启动时拷贝到SRAM中运行 |
| 外部SDRAM | 0x30000000~0x34000000 | 64Mbyte容量 |
| Nand Flash | NULL | Nand Flash不直连总线，通过控制器访问。 |
内存分配
SDRAM地址end | @0x34000000 |
Bss_start | 此上，为bss数据区 |
Armboot_start | 此上，为uboot映像,大概200k |
CFG_MALLOC_LEN | 256k |
GLB_DATA_SIZE | 128byte+4byte |
IRQ_stack | 4k |
FIQ_stack | 4k |
用户栈区 | 128k |
空闲地址空间 | 大概61Mbyte（SDRAM内存总共64M）. |
SDRAM地址start | @0x30000000 |
Nor /nand flash….. |
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名词解释
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nGCS0 | 芯片选择(片选)寄存器 | nGCS0-nGCS7 |
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9.
参考：
s3c2440内存原理
http://hi.baidu.com/qq453158783/blog/item/883430ca84fc9e20b700c84f.html
http://hi.baidu.com/guoxiao69/blog/item/4f6157d751e22b209a502715.html
MMU原理
http://hi.baidu.com/excellentderek/blog/item/c9c60713361efb055baf53e7.html
