活动时间：2019.06.24-07.01
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截图示例：
学习内容：
此参考设计概述了如何实现具有双向功能、基于 SiC 的三级三相交流/直流转换器。50kHz 的高开关频率降低了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。具有开关损耗的 SiC MOSFET 可实现高达 800V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，具有大于 97% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级整流器。
该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，它可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。
特性 - 额定标称输入峰值达到 380-400VAC，800V 直流输出
- 在 400VAC 50Hz 或 60Hz 电网连接时，最大输出功率为 10kW 或 10kVA
- 基于 SiC MOSFET 的高压 (1200V) 交流/直流全桥转换器，峰值效率 > 97%
- 紧凑型滤波器，开关整流器频率为 50kHz
- 用于驱动高压 SiC MOSFET 并具有增强型隔离功能的隔离式驱动器 ISO5852S，以及用于驱动中间 Si IGBT 的 UCC5320S
- 使用 AMC1301 进行隔离式电流检测，从而实现负载电流监测
- TMS320F28379D 控制卡可实现数字控制
下载资料：
zhcu580.pdf
(1.07 MB)
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