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[电路/定理]

为什么MOS管做防倒灌和设想的不一样呢？

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楼主
chineseboyzxy|  楼主 | 2025-1-2 16:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, os, MOS管, 栅极, 控制
PMOS做防倒灌，用NMOS控制其栅极，V是12V，L是负载端，空载，结果上图接法直接导通了，非要按下图把N管栅极单独分离，P管的D极才没有电。V端电压调成5V也不行，不知道什么原因，哪位高手请指点一下。下图栅极分开后量P管D极也才3mV，怎么会使N管导通呢？P管是MDD2301，N管是2N7002K。






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评论
xch 2025-1-14 10:26 回复TA
@chineseboyzxy ：SMART DIODE，没有压降的还没出世 
zyj9490 2025-1-14 09:12 回复TA
R20并一个电容即可，开机时刻暂态进入正反馈。 
chineseboyzxy 2025-1-14 08:51 回复TA
@xch ：管压降。 
xch 2025-1-13 16:25 回复TA
用一只二极管就解决了 

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沙发
qinlu123| | 2025-1-6 10:47 | 只看该作者
你是希望当L电压比V高的时候Q3打开，反之Q3关断吗？你测试的时候L端是完全悬空吗连个下拉电阻都没有？

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板凳
qinlu123| | 2025-1-6 11:12 | 只看该作者
这是个正反馈电路，但凡有一点电从V漏到L来就会越漏越大最终完全导通。仿真结果也是这样除非L端没电的时候直接接地。

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地板
chineseboyzxy|  楼主 | 2025-1-6 20:52 | 只看该作者
qinlu123 发表于 2025-1-6 11:12
这是个正反馈电路，但凡有一点电从V漏到L来就会越漏越大最终完全导通。仿真结果也是这样除非L端没电的时候 ...

试过L端51K电阻对地也不行，V端别说12V了，5V都直接导通了。只能把N管栅极分离开单独控制了。

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5楼
xmar| | 2025-1-7 10:52 | 只看该作者
电路改一下：

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6楼
qinlu123| | 2025-1-7 11:27 | 只看该作者
xmar 发表于 2025-1-7 10:52
电路改一下：

楼主应该不是这个意思吧，我猜楼主的意思是当L端有电的时候电可以从L流向V，当L端电源撤掉后开关关闭V端电流流不下来。

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7楼
coody| | 2025-1-10 10:17 | 只看该作者
本帖最后由 coody 于 2025-1-10 10:18 编辑

你在Q4的G、S并一个10K下拉电阻试试。要对MOSFET有基本的了解哦，否则用不好也用不对。

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8楼
chineseboyzxy|  楼主 | 2025-1-10 13:14 | 只看该作者
coody 发表于 2025-1-10 10:17
你在Q4的G、S并一个10K下拉电阻试试。要对MOSFET有基本的了解哦，否则用不好也用不对。 ...

试过了，4.7K下拉，也不行。看来是栅极必须要独立控制了。这个思路是行不通了。

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9楼
chineseboyzxy|  楼主 | 2025-1-10 13:15 | 只看该作者
qinlu123 发表于 2025-1-7 11:27
楼主应该不是这个意思吧，我猜楼主的意思是当L端有电的时候电可以从L流向V，当L端电源撤掉后开关关闭V端 ...

您猜的非常对！V端12V，L端平时没电，工作时5V，但是在工作前12V是要先撤掉的。

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