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栅极驱动能力不足

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g36xcv|  楼主 | 2025-3-27 15:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如果 PWM 直接驱动 NMOS,而没有专门的 MOS 驱动芯片,可能会导致栅极电压上升或下降速度过慢,使 NMOS 在线性区停留时间较长,导致发热。

MOSFET 的 栅极电荷 Qg 较大,PWM 信号的驱动能力较弱,无法快速充放电 MOS 栅极。

解决方案:

使用专门的 MOSFET 驱动器。

降低 栅极电阻,加快充放电速度,典型值 10Ω~100Ω。

确保 PWM 信号的 电压足够高一般 逻辑级 MOSFET 需要 >5V,功率 MOSFET 需要 10V-15V。

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沙发
dongnanxibei| | 2025-3-27 20:07 | 只看该作者
是的,遇到过这个问题,说是栅极电阻是为了防止震荡的。一般100欧姆,然后拉低到地的电阻推荐10K,也不知道是不是这个配比是通用的

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板凳
xuanhuanzi| | 2025-3-27 20:37 | 只看该作者
所以有栅极驱动专用芯片

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地板
xuanhuanzi| | 2025-3-27 20:37 | 只看该作者
用三极管好像也可以提升栅极驱动能力

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gejigeji521| | 2025-3-27 20:53 | 只看该作者
电机控制或者PID控制什么的时候用这个电路

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zhuomuniao110| | 2025-3-28 13:57 | 只看该作者
栅极电阻没有100欧的,可以用1K的吗

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