栅极驱动能力不足

只看该作者 · 2025-3-27 15:37

如果 PWM 直接驱动 NMOS，而没有专门的 MOS 驱动芯片，可能会导致栅极电压上升或下降速度过慢，使 NMOS 在线性区停留时间较长，导致发热。

MOSFET 的栅极电荷 Qg 较大，PWM 信号的驱动能力较弱，无法快速充放电 MOS 栅极。

解决方案：

使用专门的 MOSFET 驱动器。

降低栅极电阻，加快充放电速度，典型值 10Ω~100Ω。

确保 PWM 信号的电压足够高一般逻辑级 MOSFET 需要 >5V，功率 MOSFET 需要 10V-15V。