PWM死区时间设置少了会炸MOS吗？

1万 · 2025-4-23 07:22

用在电机驱动上，两个臂间的死区太短会不会直接短路？

1万 · 2025-4-23 07:27

启动时别让PWM直接开满，占空比别100%。

1万 · 2025-4-23 07:28

我干脆固定用200ns，求稳。

1万 · 2025-4-23 07:29

MOS参数里有个td(off)，算进去。

1万 · 2025-4-23 07:30

用示波器看的话，边沿抖动最明显。

1万 · 2025-4-23 07:30

你是用互补输出了吗？

1万 · 2025-4-23 07:31

有时候开关延迟也要考虑进去。

1万 · 2025-4-23 07:32

模拟一下波形看看有没有交叠。

1万 · 2025-4-23 07:33

死区加多一点，损耗也没大多少。

1万 · 2025-4-23 07:34

Datasheet推荐的死区一般不够保守。

1万 · 2025-4-23 07:34

我有次就是死区太短，两个臂同时导通了……

只看该作者 · 2025-4-30 23:35

这种短路现象会造成大电流流过MOSFET，可能导致它们瞬间损坏。

只看该作者 · 2025-5-15 18:35

4.即使未发生完全短路，微小导通时间也会导致MOS管内阻发热（如SiC MOSFET体二极管导通损耗增加），长期运行可能因过热损坏。

只看该作者 · 2025-5-15 18:42

在STM32F3的电机驱动应用中，PWM死区时间设置过短会直接导致MOS管烧毁或上下桥臂短路，需严格依据功率器件特性配置

只看该作者 · 2025-5-15 19:30

MOS管开关存在延迟（如门极关断延迟时间、驱动信号传递延迟时间），若死区时间小于开关延迟总和，可能出现上管未完全关断时下管已导通，导致电源与地直接短路

只看该作者 · 2025-5-15 20:00

短路瞬间电流可达数十至数百安培，远超MOS管额定值，直接引发炸管

只看该作者 · 2025-5-15 20:37

即使未发生完全短路，微小导通时间也会导致MOS管内阻发热（如SiC MOSFET体二极管导通损耗增加），长期运行可能因过热损坏。

只看该作者 · 2025-5-15 21:03

实际设置需增加20%~50%裕量。例如，若计算需200ns，建议设置250~300ns。

只看该作者 · 2025-5-15 21:42

死区故障容易引起MOS管炸裂、PCB铜箔烧毁、驱动芯片过热

只看该作者 · 2025-5-15 22:00

示波器测量PWM波形时，上下管波形存在重叠区域（正常应无重叠）。