在APM32F407上使用EasyFlash库函数卡死的解决方法

只看该作者 · 2025-5-14 10:12

本帖最后由 onemoren 于 2025-5-14 17:29 编辑

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在APM32F407上使用EasyFlash库函数卡死的解决方法

问题描述：

原本使用STM32F407开发的程序，替换为APM32F407后，出现了 EasyFlash 库函数运行异常。具体表现为在执行 sector_iterator 函数时进入无限 while 循环，程序卡死。程序在执行到 while ((sec_addr = get_next_sector_addr(sector)) != FAILED_ADDR) 这一行时，get_next_sector_addr 函数返回非 FAILED_ADDR 的值，导致循环无法正常退出，程序陷入死循环，无法继续执行后续逻辑。

复现失效：

按前面的描述，在STM32F407芯片上烧录代码，经Debug可以正常运行EasyFlash库代码；

再使用APM32F407VGT6芯片烧录代码，芯片会卡死在“HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, addr, *buf_8);”处。具体的，表现为在执行 sector_iterator 函数时进入无限 while 循环，程序卡死。程序在执行到 while ((sec_addr = get_next_sector_addr(sector)) != FAILED_ADDR) 这一行时，进入死循环。

分析过程：

1、检查写入地址0x08040000确认写入信息失败,检查相关寄存器发现PGSEQERR和PGPRLERR错误标志置位。

2、可以初步判断是由编程顺序差异导致的错误.根据先擦后写的原则,检查上一步擦除操作.发现在擦除操作后写入操作前SER已被置位。

3、检查Program函数发现在PG使能时未能成功置1,且反而导致SER位清零。

4、在擦除操作结束后,对SER位清零,检查寄存器操作成功。

5、继续运行写操作,检查写操作成功，程序可以正常继续运行后续任务。

6、对比ST与APM芯片SER和PG都置1的差异

APM32F407芯片：

1）.SER置位：

2）.PG和SER都清除：

可以看到APM芯片无法将PG位置起，而且还使SER清除。这一点与ST芯片表现不一样。

STM32F407芯片：

1）.SER置位：

2）.SER/PG都置位：

在STM32F407芯片上，对flash擦除后SER置位。此时程序如对PG置位，PG会被成功置位且保持SER位置位，从而程序会判定扇区擦除成功，然后继续运行。ST芯片表现运行正常。

分析结论：

在APM32F407芯片上，对flash擦除后SER置位。此时程序如对PG置位，PG置位操作无法完成并且会清除SER位。程序运行时会判断对目标扇区擦除完成后再写入，但因SER位被清除，程序无法正常判定被擦除的Flash扇区状态，就会将其认定为未擦除，最终导致MCU对同一扇区反复擦除而陷入死循环。解决方法：在擦除完成后手动置位SER位，即可使程序认定扇区擦除完成，程序继续正常运行。

在STM32F407芯片上，对flash擦除后SER置位。此时程序如对PG置位，PG会被成功置位且保持SER位置位，从而程序会判定扇区擦除成功，然后继续运行。所以ST芯片表现正常。

检查ST标准库函数、HAL库与Geehy标准库，发现是HAL库存在不同，HAL需要修改代码来规避（在擦除完成后增加手动置位SER位的代码即可）。

另外，SER在手册中是RW的（可读可写位），用户在擦除完FLASH后应该手动去清SER位，才比较规范。

总之：

APM32F407的Flash操作表现与ST芯片有差异，在APM32F407芯片Flash擦除(SER、SNB置位)或Flash编程（PG置位）后，都需要增加清除这些功能位的操作代码。否则会出现擦除报错、编程无效等异常。

只看该作者 · 2025-5-16 23:28

在APM32F407芯片Flash擦除(SER、SNB置位)或Flash编程（PG置位）后，都需要增加清除这些功能位的操作代码。
谢谢楼主的分享了

只看该作者 · 2025-5-17 12:24

感谢分享详细的问题分析和解决方案，这对于遇到类似问题的开发者来说非常有帮助。

在APM32F407上使用EasyFlash库函数卡死的解决方法

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