发新帖我要提问
返回列表
打印

GD32H757V使用无源晶振容易卡死

[复制链接]
1152|9
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
lvsai|  楼主 | 2025-5-15 10:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
GD32H757V, 无源晶振, 死机, 使用
GD32H757V使用无源晶振时，用手触摸无源晶振引脚的时候，非常容易死机。用st的无此现象。此现象是不是说明GD32在抗干扰或静电处理的不好，在工业环境使用难免会有干扰。晶振25MHZ和8MHZ都已测试，系统时钟600MHZ（480MHZ也死机）。晶振启动电阻1M，电容15pf和22pf都测试过。有解决方案吗？

使用特权

评论回复 赏
沙发
probedog| | 2025-5-19 12:19 | 只看该作者
可能是GD32H757V的晶振电路抗干扰能力弱一些吧

使用特权

评论回复 赏
板凳
flycamelaaa| | 2025-5-19 12:19 | 只看该作者
ESD影响？

使用特权

评论回复 赏
地板
stormwind123| | 2025-5-19 12:20 | 只看该作者
电源中的噪声可能通过晶振电路传导，影响MCU的稳定性。

使用特权

评论回复 赏
5楼
七毛钱| | 2025-5-19 12:23 | 只看该作者
增加去耦电容或者用金属屏蔽罩将晶振隔离。

使用特权

评论回复 赏
6楼
probedog| | 2025-5-19 15:23 | 只看该作者
将晶振电路的走线尽可能短且直。

使用特权

评论回复 赏
7楼
classroom| | 2025-5-19 17:09 | 只看该作者
用接地环或接地平面。

使用特权

评论回复 赏
8楼
classroom| | 2025-5-19 20:00 | 只看该作者
建议用滤波器。

使用特权

评论回复 赏
9楼
kepe| | 2025-5-31 01:44 | 只看该作者
晶振输入端是高阻抗节点，容易受到手部电容耦合、ESD、EMI干扰。

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

lvsai

2

主题

11

帖子

0

粉丝