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AMEYA360:罗姆ROHM新SPICE模型助力优化功率半导体性能

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Ameya360皇华|  楼主 | 2025-7-4 15:20 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,该模型提升了收敛性和仿真速度。

功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响,因此在设计阶段的仿真验证中,模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通过提高每种特性的复现性,满足了高精度仿真的需求。然而另一方面,该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题,亟待改进。

新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式,能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时,将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此,能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析,从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。

“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布,用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后,以往模型仍将继续提供。另外,ROHM还发布了详细的使用说明白皮书,以帮助用户顺利导入新模型。


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