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作为领先的垂直整合制造商(IDM),英飞凌在300mm氮化镓生产路线图方面取得突破

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随着GaN半导体需求的持续增长,英飞凌正抓住这一趋势,巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商(IDM,以下同)的地位。近日,公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供,英飞凌有望扩大客户群体,并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。



作为功率系统领域的领导者,英飞凌已经掌握全部三种材料的相关技术:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。凭借更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗,氮化镓半导体可实现更紧凑的设计,从而减少智能手机充电器、工业和人形机器人,以及太阳能逆变器等电子设备的能耗和热量产生。


英飞凌的生产策略主要以 IDM 模式为主,即拥有从设计到制造和销售最终产品的整个半导体生产流程。公司的内部生产策略是市场上的一个关键差异化因素,具有多重优势,如能提供更高质量的产品、更快的产品上市时间以及出色的设计和开发灵活性。英飞凌致力于为氮化镓客户提供支持,并可扩大产能以满足他们对可靠的GaN电源解决方案的需求。



凭借其技术领先优势,英飞凌已成为首家在现有大批量生产基础设施内成功开发出300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的 200mm晶圆相比,300mm晶圆上的芯片生产在技术上更加先进,效率也显著提高,因为更大的晶圆直径可使芯片生产效率提高 2.3 倍。这些增强的能力,加上英飞凌强大的GaN专家团队,以及业界最广泛的知识产权组合,恰好可以满足基于GaN的功率半导体在工业、汽车、消费、计算和通信等领域快速普及,包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。



市场分析师预测,到2030年,GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长,达到约25亿美元[1]。英飞凌拥有专门的生产能力和强大的产品组合,去年发布了40多款新型GaN产品,这使其成为寻求高质量GaN解决方案客户的首选合作伙伴。



[1] Yole Group;《功率碳化硅和氮化镓化合物半导体市场监测,2025 年第二季度》

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