英飞凌推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时RDS(on) 值为4至60mΩ，广泛适用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动汽车（xEV）辅助设备等应用，以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源（SMPS）等工业应用。
凭借4mΩ和7mΩ的超低导通电阻，MOSFET在静态开关应用中拥有出色的表现，并成为eFuse、高压电池关断开关、固态断路器和固态继电器等应用的理想选择。英飞凌创新的Q-DPAK顶部散热式封装专为提供领先的热性能和可靠性设计，RDS(on) 值低至4mΩ，实现行业内最佳规格。
该技术还具有领先的RDS(on) x QOSS和更佳的RDS(on) x Qfr，可减少硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，在硬开关应用场景中效率尤为出色。由于栅极电荷减少，该技术可实现更快的开关速度并降低栅极驱动损耗，提高了在高频率应用中的效率。
此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2在25°C时具有高电压阈值（VGS(th),typ为4.5 V）和超低QGD/QGS 比，进一步提高了对寄生导通（PTO）的抗扰性。该技术还支持栅极驱动能力扩展，可承受最高-7 V的静态栅极电压及最高-11 V的瞬态栅极电压。这一更高的电压耐受性为工程师提供了更大的设计余量，保证了与市场上其他产品更高的兼容性。
CoolSiC™ 750 V G2具有出色的开关性能、极佳的易用性和优异的可靠性，并且完全符合AEC Q101车规级部件标准和JEDEC工业级部件标准。该技术通过实现更加高效、紧凑和经济的设计，满足了日益增长的市场需求，展现了英飞凌在安全关键型汽车应用可靠性和耐用性上的投入。
|
楼主
标题置顶
标题高亮
