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通过引脚损失了 2mA

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情场探花|  楼主 | 2025-7-29 18:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
系统包括单片机和语音模块,单片机通过 P55 控制语音模块。
当单片机休眠时,自身消耗 0.3mA,还有2mA通过 P55 损失了。
为了省掉这 2mA,在 P55 上串个电阻,结果发现:
如果串 5.1K,则电流还是 2mA,如果串10K,则 P55 就控制不了语音模块了。
我也不想再试验了,放弃吧!这 2mA 就认了吧!

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xch 2025-7-30 09:34 回复TA
说得跟坏球网似的,不像新华社那么严谨。看不懂啊 
沙发
地瓜patch| | 2025-7-29 22:02 | 只看该作者
休眠前,把该引脚拉低呢

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地瓜patch 2025-7-31 23:19 回复TA
@情场探花 :用其他引脚控制语音模块电源,休眠前,断掉他的电源,再将该引脚拉低 
情场探花 2025-7-31 17:35 回复TA
一旦拉低 P55,就会唤醒语音模块,更费电! 
板凳
mbutterfly| | 2025-7-30 08:06 | 只看该作者
怎么是2mA,如果是3.3/5.1K也不是2毫安啊

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地板
dffzh| | 2025-7-30 08:54 | 只看该作者
休眠后,是否有修改P55引脚的配置?试试改成输入模式呢?

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gx_huang| | 2025-7-30 10:11 | 只看该作者
不懂电路原理的搞单片机的,只能无奈放弃了

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6
chineseboyzxy| | 2025-7-30 13:23 | 只看该作者
脱离了欧姆定律

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7
coody| | 2025-7-30 16:55 | 只看该作者
还没找过电流耗在哪里导致的。

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丙丁先生| | 2025-7-31 07:38 | 只看该作者
替代解决方案(若未来考虑优化)
1. MOSFET开关隔离
   在P55与语音模块间增加N沟道MOSFET(如2N7002),单片机休眠时切断MOSFET,彻底断开电流路径(功耗可降至μA级)。

2. 低功耗语音模块选型
   选用待机电流<10μA的语音芯片(如WTN6系列待机功耗仅5μA),或支持独立断电控制的模块(如XY-V17B)。

3. GPIO状态优化
    休眠前将P55设置为 高阻态+外部下拉电阻(10kΩ),避免浮空引脚引入电流。
    确认单片机是否支持引脚“模拟输入”模式(此模式下IO电流接近0)。

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