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7月30日，英诺赛科宣布与联合汽车电子（简称：联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。 新能源汽车行业正处于快速发展阶段，对电力电子系统的性能要求日益提高，而氮化镓器件的高功率密度、低导通电阻等特性恰好能满足这一需求。 据了解，英诺赛科是全球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商，已开发出业界性能最高、可靠性最高的GaN工艺，氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压应用，电压范围涵盖15V至1200V，并拥有全球最大的8英寸产能。 联合电子成立于1995年，是汽车电子领域的全球领导者，也是宽禁带功率器件应用领域的技术领导者，已开发出基于GaN的高功率密度车载充电机。联合电子拥有汽油发动机管理系统、变速箱控制系统、先进网联和电力驱动系统四个业务板块，以及悬架控制、热管理系统、软件与服务、智能传感器等创新业务。 此次合作将充分利用各自在GaN领域的优势，双方成立的联合实验室将聚焦新能源汽车的电源和动力系统，借助氮化镓技术，研发出更小体积、更轻量的产品，提升新能源汽车的整体性能和续航能力，为新能源汽车产业的发展注入新的活力。
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