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去耦电容的配置
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(1) 电源输入端跨接10~100uF的电解电容器。如有可能接100pF以上的更好。
(2)原则上每个集成电路芯片都应布置一个女0.01pF的瓷片电容。如遇印制电路板空隙不够，可每4~8个芯片布置一个1~10pF的钽电容。
(3)对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的元件，如RAM、ROM存储元件，应在芯片的电源线各地线之间加入去耦电容。
(4)电容引线不能过长，尤其是高频旁路电容不能有引线。此外应注意以下两点：
a.在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时，操作是均会产生较大的火花放电，必须采用RC电路来吸收放电电流。一般R取1~2Kohm，C取2.2~4.7uF.
b.CMOS的输入阻抗很高，易受干扰，因此在使用时对不使用的端口接地或接正电源。
