本帖最后由 zhao133 于 2025-3-28 11:33 编辑
这段时间使用APM32M3514比较多，因为这款芯片确实有比较吸引我的地方，比如芯片的集成度，一颗小小的芯片内部把MCU、gatedriver、LDO集成在一起，在某些场合确实很有竞争力。前两天有个朋友也在用APM32M3514在做项目，当时他的项目是把一个高性能的主控芯片+APM32M3514做在一块板上，其中APM32M3514单独用于驱动电机，高性能主控芯片与APM32M3514通过某些特定的通信方式交换数据（具体怎么实现有些忘记了，好像是Uart）。
类似这样的方案，在我们电子电路研发生涯里确实会遇到很多，这里有些设计的细节，需谨慎考虑：
1、高性能主控与APM32M3514的逻辑控制电平，当我们设计板子存在两个控制芯片时，需考虑两者之间的逻辑控制电平，如果两个芯片的逻辑控制电平不一样，则我们需考虑：高电平较高的芯片能否识别高电平较低的芯片的电平信号，高电平较低的芯片接收到高于自己的逻辑控制电平是否存在烧坏的IO的风险，这时，我们需了解两个芯片的规格书，IO口的承受电压情况。
2、供电问题，假设两个芯片的工作电压一样，由于高性能主控没有自带LDO功能，APM32M3514内部自带LDO，那么两个芯片能否只使用内部自带的LDO供电呢，芯片内部自带的LDO带载能力有限，使用时需谨慎评估另外一个高性能MCU的功耗，如果另外一个芯片功耗较低，两者总功耗也在内部LDO的最大输出带载能力范围以内时，是可以这么设计的。但是如果另外一款功耗较高，并且还有其他外设时，那么需增加一个LDO，并且增加LDO不能给APM32M3514供电，原因：APM32M3514实现很多控制算法跟内部LDO有联系。另外增加的LDO不能与APM32M3514的LDO输出连接在一起，因为两个LDO之间会存在电压差，容易烧坏LDO。
其实很多具有内部LDO的芯片使用时，都应注意上述提到的两个小细节。如果大家对这个有补充的，欢迎
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